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电子工程建设术语标准 GB/T50780-2013

来源:发布时间:2018/8/1

前言


中华人民共和国国家标准
电子工程建设术语标准

Terminology standard of electronics engineering construction
GB/T 50780-2013
主编部门:中华人民共和国工业和信息化部
批准部门:中华人民共和国住房和城乡建设部
施行日期:2013年9月1日


中华人民共和国住房和城乡建设部公告
第1624号
住房城乡建设部关于发布国家标准《电子工程建设术语标准》的公告

现批准《电子工程建设术语标准》为国家标准,编号为GB/T 50780-2013,自2013年9月1日起实施。
本标准由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。

中华人民共和国住房和城乡建设部
2013年2月7日

本标准是根据原建设部《关于印发<2006年工程建设标准规范制订、修订计划(第二批)>的通知》(建标[2006]136号)的要求,由中国电子工程设计院会同有关单位共同编制完成。
本标准在编制过程中,编制组对我国电子工程建设的有关术语进行了广泛调查研究,总结了国内外实践经验,广泛征求了国内有关设计、制造、研究、建设等单位意见。最后经审查定稿。
本标准共分8章,主要内容包括:总则、电子工程建设综合性术语、整机类及电子系统工程、元器件类工程、电子材料类工程、电子专用设备类工程、电子工程建设特种技术、相关工程。
本标准由住房和城乡建设部负责管理,由工业和信息化部负责日常管理,由中国电子工程设计院负责具体技术内容的解释。在本标准的执行过程中,如发现有需要修改和补充之处,请将意见、建议和有关资料寄至中国电子工程设计院(地址:北京市海淀区西四环北路160号,邮政编码:100142),以供今后修订时参考。
本标准主编单位、参编单位、主要起草人和主要审查人:
主编单位:中国电子工程设计院
参编单位:信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司
上海电子工程设计研究院有限公司
主要起草人:王立 王志良 郑秉孝 吴碧萍 赵海 薛长立 郝文建 李强 何艳红 杨黎 孙华成 黎瑛 严仁威 张平 郑佳明 周春海 陈利 陆坚 韩方俊 江元升 朱浩南 冯立国 姜玉勤 黄琦玲 李卫
主要审查人:高鸿锦 孙红 王元光 提刘旺 魏晓东 祝大同 龚永林 衡永田 范宝元

条文说明

制定说明

《电子工程建设术语标准》GB/T 50780-2013,经住房和城乡建设部2013年2月7日以第1624号公告批准发布。
在本标准制订过程中,编制组进行了深入调查和研究,按照实用性、合理性、先进性、科学性、协调性原则,总结了我国电子行业的实践经验,参考了国外先进技术理念,分析了国内外相关标准和电子行业的惯用术语,广泛征求了国内有关设计、生产、研究等单位的意见。
2010年6月9日,由工业和信息化部规划司在北京组织召开了《电子工程建设术语标准》(送审稿)专家审查会,标准通过了审查。审查专家组认为:本标准认真贯彻了国家有关方针政策,较好地处理了与我国现行相关标准的关系,符合电子工程的特点和国内外电子技术发展状况,体现了科学性、先进性、协调性及可操作性。本标准的实施将对规范我国电子工程建设专业用语起到重要作用。
为便于广大设计、施工、科研、学校等单位有关人员在使用本标准时能正确理解和执行条文规定,《电子工程建设术语标准》编制组按章、节、条顺序编制了本标准条文说明,对条文规定的目的、依据以及执行中需要注意的有关事项进行了说明。但是,本条文说明不具备与标准正文同等的法律效力,仅供使用者作为理解和把握标准规定的参考。


1 总则


1.0.1 为规范电子工程建设的基本术语及其定义,实现专业术语标准化,制定本标准。
1.0.2 本标准适用于电子工程建设的规划、咨询、设计、工程监理、工程管理等工程服务以及教学、科研及其他相关领域。
1.0.3 电子工程建设文件、图纸、科技文献使用的术语,除应符合本标准外,尚应符合国家现行有关标准的规定。

2 电子工程建设综合性术语


2.0.1 电子工程 electronics engineering
纳入工程项目管理的电子信息产品的制造厂、研发基地、教学、仓储、信息系统,以及信息技术应用设施等的建设工程。
2.0.2 电子工业工程 electronic industrial project
电子整机类、电子元器件类、电子材料类及电子专用设备类工程建设项目的统称。
2.0.3 电子系统工程 electronic system project
为独立运行或与各类工程中配套使用的电子信息系统进行设计、采购、集成、安装、调试等服务的建设工程。

条文说明

2 电子工程建设综合性术语
2.0.1 电子工程
这是个多义词。含义1:涉及电子学的工程技术;含义2:生产或使用的比较大而复杂的电子设备或装备;含义3:电子信息领域的工程建设工作或工程建设项目。根据本标准的适用范围采用含义3,包括电子行业的基本建设、更新改造、利用外资及引进技术项目建设,亦包括信息化和信息技术应用设施固定资产投资的项目建设。
根据项目涉及产品的特性、功能、结构、制造工艺及工程建设的特点,电子工程一般分为:整机类项目、元器件类项目、电子材料类项目、专用设备类项目、电子系统工程等。前四者统称“电子工业工程”。
2.0.3 电子系统工程
按照原建设部《建筑业企业资质管理规定》(原建设部第87号令),电子系统工程包括雷达导航及测控、计算机应用及综合信息网络、监控系统、电子自动化、电子声像、电磁兼容、智能化系统、电子机房、电子设备安装等工程。


3 整机类及电子系统工程


3.1 计算机


3.1.1 计算机 computer
一种能进行大量计算的功能单元,包括无需人工干预的算术运算和逻辑运算。
3.1.2 硬件 hardware
信息处理系统物理组成部分的全部或部分。
3.1.3 软件 software
信息处理系统的全部或者部分程序、流程、规则和相关文档。
3.1.4 输入设备 input device
将数据送入计算机的设备。
3.1.5 输出设备 output device
将数据传出计算机的设备。
3.1.6 存储器 storage
能放入、保存并可从中取出数据的功能部件。
3.1.7 外存储器 external storage device
只能通过输入、输出通道访问处理器的存储器。又称辅助存储器,是内存储器的补充设备。
3.1.8 计算机网络 computer network
一种由计算机和数据通信设备组成的各结点与由数据链接组成的分支所形成的网络。

条文说明

3.1 计算机
3.1.3 软件
分为系统软件和应用软件。系统软件是为了使用和管理计算机而编写的软件,主要有操作系统、语言处理软件、数据库管理系统等。应用软件是为了某个应用目的而编写的软件,主要有辅助教学软件、辅助设计软件、文字处理软件、工具软件以及其他的应用软件。
3.1.4 输入设备
用户和计算机系统之间进行信息交换的主要装置,如键盘、鼠标、摄像头、扫描仪、数字化仪、条码阅读机、数码相机、IC卡输入系统、光笔、手写输入板、游戏杆、语音输入装置、模/数(A/D)转换器等。从读取数据的角度看,磁盘、光盘或磁带也是输入设备。
3.1.5 输出设备
能够将计算机处理结果(数据或信息等)以数字、字符、图像、声音等形式显示或者记录下来的设备,称为计算机的输出设备。如显示器、打印机、刻录机、绘图仪、影像输出系统、语音输出系统、X/Y记录仪、数/模(D/A)转换器等。从保存数据的角度看,磁盘、光盘或磁带也是输出设备。
3.1.7 外存储器
相对于内存储器而言,外存储器具有更大的存储量,存储的数据也能移动,但存储速度慢。外存储器包括软磁盘、硬磁盘、磁带、光盘和相应的驱动设备。


3.2 通信


3.2.1 移动通信设备 mobile communication equipment
用于移动业务的交换机、基站设备、移动台等通信设备的统称。
3.2.2 集群移动通信系统 trunked mobile communication system
由多个部门或单位共用一组动态分配无线频道的移动通信系统。
3.2.3 卫星通信 satellite communication
在两个或多个卫星地面站之间利用人造地球卫星转发或反射信号的无线电通信方式。
3.2.4 卫星通信设备 satellite communication equipment
卫星定位指挥调度系统、接收机、卫星天线、卫星通讯网络、卫星数据传输、卫星电话等通信设备的统称。
3.2.5 卫星通信地球站 satellite communication earth station
在卫星通信系统中设置于陆地、水面和大气层中的通信终端站。
3.2.6 光纤通信 optical fiber communication
利用光波作为载波传输信息、以光纤作为传输介质实现信息传输达到通信目的的通信技术。
3.2.7 微波通信 microwave communication
使用波长为1m~1mm、频率为300MHz~300GHz的电磁波进行的通信。
3.2.8 微波接力通信线路 microwave relay communication link
将微波信号由一个终端站传送至另一个终端站所经由的线路。
3.2.9 微波站设备 microwave station equipment
微波站内的天线、收发信机、调制器、多路复用设备以及电源设备、自动控制设备等的统称。

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3.2 通信
3.2.2 集群移动通信系统
20世纪70年代发展起来的比较经济、灵活的移动通信系统,通过自动、动态、快捷的分配方式,可把有限的信道集中起来为众多用户共同利用,是传统专用无线电调度网的高级发展阶段。其运用交换技术和计算机技术,具有系统分组能力,是一种高级移动调度系统,是专用移动通信网发展方向。
3.2.3 卫星通信
卫星通信由通信卫星、地面站、控制中心以及移动终端等组成。在卫星通信系统中,卫星在空中起中继站的作用,把地面站发来的电磁波放大后再返送回地球上的另一地面站。地面站则是卫星系统与地面公众网的接口,地面用户通过地面站出入卫星系统,形成链路。
3.2.5 卫星通信地球站
由天线系统、高功率发射系统、低噪声接收系统、信道终端系统、电源系统和监控系统等组成。
3.2.7 微波通信
包括地面微波接力通信、对流层散射通信、卫星通信、空间通信以及其他工作于微波频段的移动通信。
3.2.8 微波接力通信线路
通常由终端站、枢纽站、分路站(也有不设分路站的)和若干个中继站(也称再生站)组成。微波接力通信线路包括若干个邻接的微波站及各站间的电磁波传播空间。


3.3 雷达与导航


3.3.1 雷达 radar
利用无线电波对目标进行探测和定位的装置。
3.3.2 导航 navigation
引导运载体和人员到达预定目的地的过程。
3.3.3 导航系统 navigation system
由装在运载体上的导航设备和装在其他地方与导航设备配合使用的导航台组成的系统。
3.3.4 全球定位系统 global positioning system(GPS)
由多颗卫星组成的覆盖全球的无线电卫星导航系统。
3.3.5 塔康系统 tactical air navigation(TACAN)system
一种近程战术无线电极坐标导航系统。又称战术空中导航系统。
3.3.6 微波着陆系统 microwave landing system(MLS)
一种工作在C波段,仅向空中提供着陆引导数据的地对空单程信息传递的着陆系统。
3.3.7 仪表着陆系统 instrument landing system
在进近和着陆过程中,为航空器提供必要的航向、下滑和距离信息的着陆系统。
3.3.8 卫星导航系统 satellite navigation system
利用人造地球卫星进行导航的系统。
3.3.9 北斗卫星导航系统 BeiDou navigation satellite system(CNSS)
中国自行研制开发的区域性有源三维卫星定位与通信系统。
3.3.10 空中交通管制中心 air traffic control center(ATCC)
控制飞行航路的中心枢纽。

条文说明

3.3 雷达与导航
3.3.3 导航系统
目前主要有卫星导航系统、北斗导航系统、塔康系统(战术空中导航系统)、微波着陆系统(MLS)、天文导航技术、车载导航技术、GPS全球定位系统等。
3.3.4 全球定位系统
由三部分组成:空间部分(GPS星座)、地面控制部分(地面监控系统)、用户设备部分(GPS信号接收机)。可以保证在任意时刻,地球上任意一点都可以同时观测到4颗卫星,以保证卫星可以采集到该观测点的经纬度和高度,以便实现导航、定位、授时等功能。通过全球定位系统,用户接收卫星发射连续波信号,通过测量卫星的距离和距离变化率,确定位置、速度和时间。
3.3.5 塔康系统
军用战术空中导航系统,采用极坐标体制定位,能在一种设备、一个频道上同时测向和测距。
3.3.6 微波着陆系统
由方位引导设备、仰角引导设备和精密测距器等地面设施和相应的机载接收机设备组成。
3.3.7 仪表着陆系统
由甚高频航向信标、超高频下滑信标和75MHz指点信标等地面设施和相应的机载接收设备组成。
3.3.8 卫星导航系统
由导航卫星、地面站、定位设备三大部分组成。
3.3.9 北斗卫星导航系统
由空间端、地面端和用户端三部分组成:三颗(两颗工作卫星、一颗备用卫星)北斗定位卫星(北斗一号);地面控制中心为主的地面部分;北斗用户终端。空间端包括5颗静止轨道卫星和30颗非静止轨道卫星;地面端包括主控站、注入站和监测站等若干个地面站;用户端由北斗用户终端以及与美国GPS、俄罗斯GLONASS、欧洲GALILEO等其他卫星导航系统兼容的终端组成。
3.3.10 空中交通管制中心
简称管制中心,是空中交通管制系统的关键机构。


3.4 广播电视与音视频产品


3.4.1 广播发射机 broadcast transmitter
产生发射类别为A3EGX的射频能量并供无线电广播用的设备。
3.4.2 电视发射机 TV-transmitter
将符合某种电视广播标准的图像(全电视信号、视频)和伴音(音频)信号变换到射频(指定的电视频道),波形符合电视广播标准射频特性要求,并馈送到指定的测试负载或电视发射天线上,功率达到规定数值的无线电发射设备。
3.4.3 电视差转机 TV-transposer
跨接在接收天线和发射天线的馈线端子之间,实现未经解调的频率移置的电视转播设备。
3.4.4 数字电视广播 digital video broadcasting(DVB)
将活动图像、声音和数据通过数字技术进行压缩、编码、传输、存储、实时发送,供观众接收、播放的视频系统。
3.4.5 卫星电视广播 TV broadcast by satellite(TVBS)
利用地球同步卫星,将接收到的地面电视信号转发到地球表面指定区域的电视广播形式。
3.4.6 有线电视系统 cable TV system(CATV)
用射频电缆、光缆、多频道微波分配系统或其组合传输、分配和交换声音、图像及数据信号的电视系统。
3.4.7 移动多媒体广播 mobile multimedia broadcasting
通过卫星和地面无线广播方式,在手机、掌上电脑、多媒体播放器、数码相机、笔记本电脑等小屏幕、移动便携手持式终端上,实现随时随地广播电视节目收视与信息服务的系统。
3.4.8 卫星电视接收系统 satellite TV programs
利用地球同步卫星将数字编码压缩的电视信号传输到用户端的一种广播电视系统,又称卫星地面站。
3.4.9 影视音响设备 audio and visual device
收音机、录音机、组合音响、录像机、摄像机、摄录一体机、家庭影院播放系统、数字音视频设备、数字电影设备、数字激光视盘机、影音光碟播放机、数字通甩光盘播放机、多媒体播放器、数码照相机等的统称。

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3.4 广播电视与音视频产品
3.4.4 数字电视广播
从节目的采集、制作到节目传输以及到用户终端的接收全部实现数字化的系统。
3.4.8 卫星电视接收系统
由天线、馈源、高频头、功分器、接收机等设备组成。

3.5 电子测量仪器


3.5.1 电子测量仪器 electronic measuring instrument
用电子技术实现对被测对象的参数进行定量检测的装置。
3.5.2 电子仪器计量标准装置 electronic instrument measurement standard device
按国家计量检定系统表规定的准确度等级,用于检定较低等级电子仪器或电子计量器具的计量装置。

3.6 信息化及信息技术应用


3.6.1 信息系统 information system
具有人力资源、技术资源和金融资源等相关组织资源的信息处理系统,提供并分配信息。
3.6.2 管理信息系统 management information system(MIS)
按照组织的管理来支持决策的信息处理系统。
3.6.3 信息化网络建设 information network construction
信息网络、含计算机处理系统的信息平台、含数据库的信息源的建设,且包括信息化人才的培育。
3.6.4 局域网 local area network(LAN)
一种位于有限地理区域内的用户宅院内的计算机网络。
3.6.5 城域网 metropolitan area network(MAN)
一种连接位于同一城市区域内的几个局域网的网络。
3.6.6 广域网 wide area network(WAN)
对比局域网或城域网更大的地理区域提供各种通信服务的一种网络。
3.6.7 无线局域网 wireless LAN(WLAN)
一种工作于2.5GHz或5GHz频段,以无线方式构成的局域网。
3.6.8 互联网 internet
广域网、局域网及单机按一定的通信协议组成的国际计算机网络。又称因特网、网际网。
3.6.9 互联网数据中心 internet data center(IDC)
为互联网内容提供商、企业、媒体和各类网站提供大规模、高质量、安全可靠的专业化服务器托管、空间租用、网络批发带宽以及动态服务器网页、电子商务等业务的数据中心。
3.6.10 物联网 internet of things
通过射频识别、红外感应器、全球定位系统、激光扫描器等信息传感设备,按约定的协议,将物品与互联网连接,进行信息交换和通信,以实现智能化识别、定位、跟踪、监控和管理的网络。
3.6.11 电子信息系统机房 electronic information system room
为电子信息设备提供运行环境的场所。
3.6.12 数据灾难备份中 database center disaster recover
配备了各种资源,在灾难发生时可接替数据处理中心运行的计算机处理中心。
3.6.13 规格说明 specification
为开发或验证系统而提供的以文档形式对系统进行确切描述的详细说明。
3.6.14 系统设计 system design
为使系统满足规定的需求,对硬件和软件的体系结构、组成部分、模块、接口和数据进行定义的过程。
3.6.15 概念系统设计 conceptual system design
涉及确定系统组织的逻辑方面、处理过程和系统中信息流程的系统设计活动。
3.6.16 系统详细设计 system detail design
为确定每个模块内部的详细执行过程,在概念设计基础上进行的处理过程设计活动。
3.6.17 系统设计规格说明书 system design specification(SDS)
描述系统设计要求的详细说明文档。
3.6.18 系统界面/接口 system interface
指两个系统之间共有的边界,是一个系统与另一个系统组成部分的交互作用或通信的接口。
3.6.19 系统界面规格说明书 system interface specification(SIS)
规定系统或系统组成部分接口需求的规格说明文件。
3.6.20 系统测试计划 system test plan(STP)
确定详细的需求、准则、通用方法、责任以及系统测试和评价的全面计划。
3.6.21 计算机信息系统集成 computer information system integration
对计算机应用系统工程和网络系统工程进行总体策划、设计、开发、实施、服务及提供保障的过程。
3.6.22 集成测试 integration test
程序或模块的逐步连接和测试,以保证它们在完整的系统中正确运行。又称组装测试、联合测试。
3.6.23 三网融合 the integration of telecommunication networks,cable TV networks and the internet
指电信网、有线电视网和计算机通信网相互渗透、互相兼容,并逐步整合成全世界统一的IP协议的信息通信网络。

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3.6 信息化及信息技术应用
3.6.1 信息系统
包括信息网络、信息资源、信息应用等系统的新建、升级或改造工程。
3.6.7 无线局域网
无线联网方式是对有线联网方式的一种补充和扩展,使网上的计算机具有可移动性,能快速、方便地解决以有线方式不易实现的网络联通问题。
3.6.11 电子信息系统机房
可以是一幢建筑物或建筑物的一部分,包括主机房、辅助区、支持区和行政管理区等。
3.6.12 数据灾难备份中心
当生产计算机系统遇到地震、火灾、水灾或战争等不可抗拒因素,或动力、主机、网络设备等不能正常工作情况时,数据灾难备份中心能迅速完成切换工作,接替生产中心的计算机系统,恢复生产系统业务的正常运行。一个完整的灾难备份系统主要由数据备份系统、备份数据处理系统、备份通信网络系统和完善的灾难恢复计划所组成。
3.6.13 规格说明
用户和开发者之间的技术合同,是系统设计、开发阶段的基础,也是系统测试和验收的依据。
3.6.15 概念系统设计
包括计算机程序组成、数据的定义及构造、界面的定义等,并提出对时间和系统规模的估算。
3.6.16 系统详细设计
包括局部数据组织、控制流、每一步的具体加工要求等。
3.6.17 系统设计规格说明书
典型内容包括系统或系统组成部分的算法、控制逻辑、数据结构与使用设定、输入输出格式和接口描述。
3.6.20 系统测试计划
测试人员管理测试项目、在系统中寻找缺陷的一种有效的工具。系统测试计划的作用:一是评判团队的测试覆盖率以及效率,让测试工作很有条理地逐步展开;二是有利于与项目经理、开发人员进行沟通。
3.6.21 计算机信息系统集成
包括工程实施、硬件平台整合、软件系统整合、应用软件平台转换、新增功能开发和调试等。
3.6.22 集成测试
集成测试的目的是发现与接口有关的错误,将经过单元测试的模块构成一个满足设计要求的软件结构。


4 元器件类工程


4.1 微电子与集成电路


4.1.1 微电子技术 micro-electronics technology
微小型电子元器件、元件和电路的研制、生产技术,以及实现预定电子系统功能的技术。
4.1.2 集成电路 integrated circuits(IC)
通过一系列的特定半导体工艺或薄膜、厚膜加工工艺,将晶体管、二极管、电阻、电容等多个电子元件集成在一个衬底上,构成完整的、具有一定功能的电路或系统。
4.1.3 MOS集成电路 metal-oxide-semiconductor integrated circuits(MOSIC)
以金属-氧化物-半导体场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。
4.1.4 CMOS集成电路 complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits(CMOSIC)
以P型沟道的NMOS晶体管和以N型沟道的PMOS晶体管互补构成的集成电路。
4.1.5 BiCMOS集成电路 bipolar complementary metal oxide semiconductor integrated circuits
由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体门电路共同构成的集成电路。
4.1.6 半导体整流器 semiconductor rectifier
由一个或者多个半导体PN结组成,用于将交流电流变成直流电流的装置。
4.1.7 晶体管 transistor
对信号有放大和开关等作用、有三个或四个电极的半导体器件。
4.1.8 可控硅整流管 silicon controlled rectifier(SCR)
由三个PN结的PNPN四层结构硅芯片及三个电极组成的半导体整流或开关器件。
4.1.9 半导体光电子器件 semiconductor photoelectronic device
利用半导体的光电效应将光能转换成电能的器件。
4.1.10 砷化镓光耦合器件 GaAs light coupled device
以砷化镓做成的光耦合器件。
4.1.11 光电晶体管 phototransistor
把光电二极管和放大器集成在一个硅片上的光电器件。
4.1.12 红外探测器 infrared detector
将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。
4.1.13 光电池 photocell
在光的照射下产生电动势的器件。又称光生伏打电池。
4.1.14 发光二极管 light emitting diode(LED)
由一个PN结组成,具有单向导电性,可把电能转化成光能的一种半导体二极管。
4.1.15 线宽 critical dimension
所加工的集成电路图形中的最小物理尺寸,是表述集成电路工艺的关键尺寸。又称最小特征尺寸。
4.1.16 硅片 wafer
用半导体材料制成的单晶硅圆片。

条文说明

4.1 微电子与集成电路
4.1.1 微电子技术
微型电子电路技术的简称,是现代信息技术的基础。
4.1.2 集成电路
分为小规模(SSI)、中规模(MSI)、大规模(LSI)、超大规模(VLSI)及特大规模(ULSI)集成电路。
4.1.3 MOS集成电路
具有功耗低、集成度高等特点,宜用作数字集成电路。
4.1.4 CMOS集成电路
具有微功耗、高噪声容限、宽工作电压范围、高逻辑摆幅、高输入阻抗、高扇出能力、低输入电容、宽工作温度范围等特点。
4.1.5 BiCMOS集成电路
特点是将双极(bipolar)工艺和CMOS工艺兼容,在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起,兼有高密度、低功耗和高速大驱动能力等特点,可制造出性能优良的模/数混合电路。
4.1.6 半导体整流器
通常使用硒、氧化亚铜、锗、硅等半导体材料。
4.1.7 晶体管
包括结型晶体管和场效应晶体管。具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等功能。
4.1.8 可控硅整流管
在正向工作时是一种双稳态器件。三个电极分别称为阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
4.1.10 砷化镓光耦合器件
光耦合器(optical coupler,OC)亦称光电隔离器,简称光耦。OC以光为媒介传输电信号,对输入、输出电信号有良好的隔离作用,在各种电路中被广泛应用。OC一般由光的发射、光的接收及信号放大三部分组成。
4.1.11 光电晶体管
主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管。
4.1.12 红外探测器
一个红外探测器至少有一个对红外辐射产生敏感效应的物体,称为响应元。此外,还包括响应元的支架、密封外壳和透红外辐射的窗口。有时还包括制冷部件、光学部件和电子部件等。
4.1.14 发光二极管
包括红光、绿光、黄光、蓝光、白光等发光二极管。
4.1.15 线宽
也称为关键尺寸,是定义IC工艺先进水平和制造复杂性水平的主要指标。
4.1.16 硅片
按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格。


4.2 显示器件


4.2.1 显示器 display device
一种给出数据的可视表示的输出单元。
4.2.2 平板显示器 flat panel displays(FPD)
显示屏对角线的长度与整机厚度之比大于4:1的显示器。
4.2.3 液晶显示器 liquid crystal displays(LCD)
靠液晶分子排列状态在电场中的改变调制外界光而实现显示功能的显示器。
4.2.4 扭曲向列相液晶显示器 twisted nematic LCD(TN-LCD)
采用向列相液晶分子扭曲90°显示模式的液晶显示器。
4.2.5 超扭曲向列相液晶显示器 super twisted nematic LCD(STN-LCD)
采用向列相液晶分子扭曲角大于90°,为180°~270°显示模式的液晶显示器。
4.2.6 薄膜晶体管液晶显示器 thin-film transistors LCD(TFT-LCD)
使用薄膜晶体管作为控制像素开关,采用有源矩阵直接驱动像素方式的液晶显示器。
4.2.7 等离子体显示器 plasma display panel(PDP)
利用气体电离放电而发光的平板显示器。
4.2.8 有机发光二极管显示器 organic light-emitting display(OLED)
通过正负载流子注入有机半导体薄膜后复合发光的多层薄膜全固体发光器件。又称有机电致发光显示器。
4.2.9 场致发射显示器 field emission display(FED)
利用针状冷阴极在真空状态下发射电子激发荧光粉发光原理制成的主动发光型平板显示器。
4.2.10 真空荧光显示器 vacuum fluorescent display(VFD)
由直热式阴极、栅极及涂有荧光粉的阳极构成的电真空显示器。
4.2.11 电致发光器件 electro luminescence device(ELD)
通过施加电压将电能转换成光能,且为本征发光的器件。
4.2.12 硅基液晶显示器 liquid crystal on silicon(LCOS) display
在硅晶圆片上生长晶体管,采用半导体制程制作驱动面板,经过研磨、蒸镀反射镜形成CMOS基板,再将CMOS基板与含有透明电极的玻璃基板贴合,注入液晶组装成的液晶显示器。
4.2.13 触摸屏 touch panel
能用手指触摸屏幕进行选项的显示装置。
4.2.14 液晶显示模块 liquid crystal module(LCM)
将液晶显示面板(屏)、连接件、控制与驱动等外围电路、印制电路板、背光源组件、结构件等装配在一起的组件。又称液晶显示模组。
4.2.15 玻璃基板 glass substrate
由表面极其平整的薄玻璃片构成的液晶显示器件的基本部件。
4.2.16 彩色滤色片 color filter(CF)
在透明基板上依规则排列红、绿、蓝三基色的图形,只能使所需要的色光通过的滤光片,又称彩色滤光膜。
4.2.17 黑矩阵 black matrix(BM)
为保证三色彩色滤光膜的遮光效果,而在三色彩色滤光膜间涂覆的不透光的黑色遮光层,又称颜料黑矩阵。
4.2.18 液晶 liquid crystal(LC)
具有像液体一样的流动性,又具有像晶体分子一样呈有序排列的各向异性的物质。
4.2.19 偏振片 polarizer
产生和检验偏光的片状光学功能性材料。又称偏光片。
4.2.20 ITO 导电膜 indium tin oxide(ITO)conduetive film
采用磁控溅射等方法,在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的导电膜。
4.2.21 背光单元 back light unit
由冷阴极荧光灯(发光二极管)照明系统、逆变器、反射板、导光板、放散板、棱镜片等组成,用于液晶显示器的背光照明系统。又称背光组件。
4.2.22 驱动芯片 driver IC
可直接驱动负载或以其输出推动另一器件驱动负载的芯片。又称驱动电路。
4.2.23 各向异性导电膜 anisotropic conductive film(ACF)
经热压接后,在膜厚方向具有导电性,在膜面方向具有绝缘性,同时具有导电、绝缘、粘结功能的高分子膜。

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4.2 显示器件
4.2.2 平板显示器
包括液晶显示器、等离子体显示器、电致发光显示器、真空荧光显示器、平板型阴极射线管显示器和有机发光二极管显示器等。
4.2.4 扭曲向列相液晶显示器
向列相液晶分子扭曲90°的显示模式,可用于无源液晶显示器(TN-LCD),也可用于有源薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)。
4.2.5 超扭曲向列相液晶显示器
STN-LCD光电响应前沿陡度很高,可满足点阵图形的驱动要求。
4.2.6 薄膜晶体管液晶显示器
为满足液晶显示器多路驱动性能,在每个显示像素位置制作一个薄膜场效应三极管(薄膜晶体管),通过控制薄膜场效应三极管的开、关状态,控制液晶显示器的像素。
4.2.7 等离子体显示器
具有高亮度、高对比度、纯平面图像无扭曲、超薄设计、超宽视角、齐全的接口、环保无辐射等显著特点。
4.2.8 有机发光二极管显示器
无需背光源,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,有机材料就会发光。OLED被认为是最可能的下一代新型平面显示器件。
4.2.9 场致发射显示器
一种利用微小且能集成的冷电子源制成的显示器。
4.2.10 真空荧光显示器
一种发光型电子显示器件。由阴极发射出来的电子在栅极的控制下加速碰撞阳极,阳极上按一定图形涂布的荧光粉被低速电子束激发发光,并由此显示出所需要的信息内容。
4.2.11 电致发光器件
电致发光分为采用荧光粉的分散型电致发光和采用薄膜荧光层的薄膜电致发光两类;驱动方式分为交流驱动和直流驱动两种。
4.2.12 硅基液晶显示器
为反射式液晶显示器,分为透射型和反射型两类。
4.2.13 触摸屏
有电阻、电容及表面波光电等多种类型,属于人机对话显示屏。
4.2.15 玻璃基板
具有平整、耐热、化学性能稳定等良好的机械和物理特性。根据加工玻璃基板的尺寸不同,TFT-LCD产业分为不同世代。对于同一个世代,并没有严格统一的规格标准,各厂商的基板尺寸略有差别。
4.2.16 彩色滤色片
由遮光用黑矩阵、显色图形、保护着色图形的透明保护膜、驱动液晶的透明电极等几层薄膜构成,是液晶显示器实现彩色显示的关键部件。
4.2.17 黑矩阵
有时也称为颜料黑矩阵,用于彩色滤光膜制作过程中。一般由含有黑色颜料的树脂构成。
4.2.19 偏振片
主要功能在于将各向同性的入射光转化为液晶显示器所要求的线性偏振光,关键原材料为聚乙烯醇和三醋酸纤维。
4.2.20 ITO导电膜
具有导电性能好、容易刻蚀、透明度高等特点。制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等,但使用最多的是反应磁控溅射法。
4.2.22 驱动芯片
在液晶显示模组(块)中,可粗分为驱动扫描电极(行电极)和驱动信号电极(列电极)两类。
4.2.23 各向异性导电膜
一种上下导通、左右不通的连接材料,用于显示屏与电路板之间的高密度引线连接。产品有单面或双面,带有可剥离保护层。


4.3 电真空器件


4.3.1 电子管 electron tube
在气密封闭容器的真空中或特定气体介质中产生电流传导,利用电场对真空中电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。
4.3.2 真空电子器件 vacuum electronic device
利用电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用,将一种形式的电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。
4.3.3 微波管 microwave tube
在微波范围内工作的真空器件。又称超高频管。
4.3.4 阴极射线管 cathode ray tube(CRT)
将电信号转变为光学图像的电子束管。
4.3.5 投影管 projection tube
在投影电视装置中经过光学系统放大而完成大面积显示图像的电子束管。又称投射式显像管。
4.3.6 彩色显像管 color picture tube(CPT)
显示彩色图像的电子束管。
4.3.7 指示管 indicator tube
在雷达上用来指示目标方位的电子束管。
4.3.8 摄像管 camera tube,television pick-up tube
将光学图像转变成电信号的电子束管。
4.3.9 电子枪 electron gun
真空管内定向发射电子束的部件。
4.3.10 荫罩 shadow mask
安装在显像管内的一块超薄钢片。
4.3.11 吸气剂 getter
用来吸收电子管内的残余气体,从而提高和保持管内真空度的材料。又称消气剂。
4.3.1 2 光电管 phototube
受到光辐射后从阴极释放出电子的电子管。
4.3.13 变像管 image converter tube
能将红外线、紫外线等不可见辐射光所构成的影像变换成可见图像的器件。
4.3.14 像增强管 image intensitier tube
能将所有接收到的弱光照图像或微光图像增强到适于人眼观察亮度的器件。
4.3.15 离子管 ionic tube
管内充有气体或蒸气,利用气体放电原理工作的电子管。又称充气管。
4.3.16 X-射线管 X-ray tube
产生X射线的电子管。

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4.3 电真空器件
4.3.1 电子管
电子设备中最主要的器件之一,按功能可分为整流管、收信放大管、调制管、发射管、电子束管、光电管、速调管、磁控管、行波管等。按用途又可分为电压放大管、功率放大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指示管(电眼)、稳压管等。
4.3.2 真空电子器件
器件有真空密封管壳和若干电极,管内抽成真空,残余气体压力为10-4Pa~10-8Pa。
4.3.3 微波管
按波长划分,微波泛指米波到毫米波、亚毫米波范围的波。
4.3.4 阴极射线管
包括显像管、变像管、电视摄像管、光电倍增器等。主要由电子枪(electron gun)、偏转线圈(deflection coils)、荫罩(shadow mask)、荧光粉层(phosphor)及玻璃外壳五部分组成。4.3.9 电子枪
能产生和聚焦电子束,由阴极和电极系统(电子透镜)构成,是电子束器件和电子束加工设备的重要组件。
4.3.10 荫罩
可分为孔状荫罩和条栅状(aperture grille)荫罩两种类型。荫罩、玻壳和电子枪是彩色显像管的三大主要部件。荫罩装于玻壳和电子枪之间,上面刻蚀40多万个微孔,位于荧光屏前面,起选色作用。
4.3.11 吸气剂
主要成分为碱土金属钡的合金以及钽、钛、铈、钍等。
4.3.12 光电管
分为真空光电管和充气光电管两种。
4.3.14 像增强管
光电成像器件之一,由光电阴极、荧光屏和能量增强级三部分组成,是微光夜视仪器的核心元件。
4.3.15 离子管
按放电形式不同可分为辉光放电管、弧光放电管、脉冲放电管、高频放电管和非自持放电管。按阴极形式又可分为冷阴极放电管、热阴极放电管和汞阴极放电管。按用途还可以分为整流管、稳压管、避雷管、计数管、字码管、等离子显示器、气体激光器等。
4.3.16 X-射线管
按用途可分为医疗诊断用、医学治疗用、工业探伤用等类型。按结构不同又可分为固定阳极、旋转阳极、栅控和冷阴极场致发射等类型。


4.4 阻容元件及特种器件


4.4.1 电阻器 resistor
在电路中限制电流或将电能转变为热能等的元件。
4.4.2 敏感电阻器 sensitive resistor
器件特性对温度、电压、湿度、光照、气体、磁场、压力等作用敏感的电阻器。
4.4.3 电位器 potentiometer
具有三个引出端,阻值可按某种变化规律调节的电阻元件。
4.4.4 电容器 capacitor
由两片接近并相互绝缘的导体制成的电极组成的储存电荷和电能的器件。
4.4.5 电感器 inductor
产生电感的器件的统称。又称扼流器、电抗器、动态电抗器。
4.4.6 线圈 coil
通常指呈环形的导线。
4.4.7 阻流圈 frequency choke
限制交流电通过的线圈。又称扼流圈。
4.4.8 表面组装元器件 surface mounted devices(SMD)
外形为矩形片状、圆柱形或异形,其焊端或引脚制作在同一平面内,适用于表面组装的电子元器件。

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4.4 阻容元件及特种器件
4.4.2 敏感电阻器
由半导体材料制成,因此也称半导体电阻器,分为热敏、光敏、压敏、力敏、磁敏、湿敏和气敏电阻器等。
4.4.5 电感器
能够把电能转化为磁能存储起来,结构类似于变压器,但只有一个绕组。
4.4.6 线圈
最常见的应用包括马达、电感、变压器和环形天线等。电路中的线圈是指电感器。
4.4.7 阻流圈
分为高频阻流圈和低频阻流圈。


4.5 印制电路板


4.5.1 印制电路板 printed circuit board(PCB)
在绝缘基材上,按预定设计形成印制元件、印制线路或两者结合的导电图形的印制电路或印制线路成品板。
4.5.2 印制板组件 printed board assembly
装有电子元件及机械紧固件并完成了焊接、涂覆等全部工艺过程的印制版。
4.5.3 多层印制板 mutilayer printed board
由多于两层的导电图形与绝缘材料交替地黏结在一起,且层间导电图形按设计要求进行互连的印制板。
4.5.4 挠性印制电路板 flexible printed circuit board(FPC)
用柔性基材制成的印制电路板。又称柔性板或软板。
4.5.5 印制电子 printed electronics
采用印刷工艺,把导电聚合物、纳米金属墨水或纳米无机墨水印制在陶瓷薄片、塑料薄膜等基质上,形成电路或元器件的过程。
4.5.6 柔性贴装芯片 chip on film(COF)
被直接安装在柔性印制电路板上的芯片。
4.5.7 芯片带载封装 tape carrier package(TCP)
贴装驱动大规模集成电路芯片的挠性线路板。

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4.5 印制电路板
4.5.1 印制电路板
一般包括刚性、挠性和刚挠结合基材的单面、双面、多层板。
4.5.5 刷电子
生产工序一般为基板布图、表面处理、喷墨印刷和热固化成型。与传统印制电路板(PCB)制造方法相比,工序少、无需掩模、效率高、有利于节能减排。
4.5.6 柔性贴装芯片
柔性贴装这种连接方式的集成度较高,外围元件可以与集成电路(IC)一起安装在柔性印制电路板上,是一种新兴技术。
4.5.7 芯片带载封装
有多个芯片封装在同一条软带上,外形像软胶片,软带的宽度有35mm、48mm、70mm等多种规格。


4.6 机电组件


4.6.1 接插件 connector
在电缆与电缆之间、电缆与机架之间提供电或机械快速连接的装置。
4.6.2 转接器 adapter
用来使各种型号的插头相互匹配或接入设备通信插口的一种器件。
4.6.3 接触器 contactor
能频繁关合、承载和开断正常电流及规定的过载电流的装置。
4.6.4 开关 switch
在额定的设定条件下,使处于正常状态的电路、回路开闭的装置。
4.6.5 继电器 relay
当电流、电压、电功率、频率、温度、速度及其他物理量超过设定值或低于设定值以及反向动作时,能开启或关闭其他电路的装置。

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4.6 机电组件
4.6.1 接插件
一般指电子装备中使用的各种开关、插头和插座。
4.6.3 接触器
用以接通和分断负载。当与热过载继电器组合时,可保护运行中的电气设备。当与继电控制回路组合时,可远控或联锁相关电气设备。


4.7 新能源


4.7.1 光伏发电 photovoltaic
利用光生伏特效应将光能直接转变为电能的一种技术。
4.7.2 太阳能电池 solar cell
通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。
4.7.3 硅太阳能电池 silicon solar cell
以晶体硅为基体材料的太阳能电池。又称晶硅电池。
4.7.4 非晶硅太阳能电池 amorphous silicon solar cell
用非晶硅材料及其合金制造的太阳能电池。简称a-si太阳能电池。
4.7.5 薄膜太阳能电池 thin film solar cell
在玻璃、塑料柔性衬底或其他非半导体材料衬底上沉积半导体薄膜材料而制成的太阳能电池。
4.7.6 锂电池 lithium cell
由锂金属为负极材料、使用非水电解质溶液制成的电池。
4.7.7 锂离子电池 lithium-ion battery
以炭材料为负极,以含锂的化合物作正极,在充放电过程中没有金属锂存在,只含锂离子的一种高能量密度电池。

5 电子材料类工程


5.1 半导体材料


5.1.1 半导体材料 samiconductor materials
电阻率介于导体与绝缘体之间,范围在1×10-5Ω·cm~1×107Ω·cm的一种固体物质。
5.1.2 晶体材料 crystal materials
在三维空间中,由沿一定晶向、以一定周期性结构排列的原子、离子或分子组成的固体物质。
5.1.3 单晶材料 single crystal materials
不含大角晶界或亦孪晶界的晶体材料。
5.1.4 多晶半导体材料 polycrystal semiconductor materials
由大量结晶方向不相同的单晶体组成的半导体材料。
5.1.5 多晶硅 polysilicon
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成晶核,晶核长成晶面取向不同的晶粒,晶粒再结晶形成的物质,是单质硅的一种形态。
5.1.6 非晶态材料 amorphous materials
具有可与晶态物质相比较的高硬度和高黏滞系数的刚性固体。又称无定形或玻璃态材料。
5.1.7 非晶硅 amorphous silicon
熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以无规则网络形态排列成晶核,这些晶核长成晶粒,晶粒再结晶成的物质。
5.1.8 硅基材料 silicon-based materials
以硅材料为衬底或基底,通过不同工艺过程生长制成的材料。
5.1.9 绝缘层硅 silicon-on-insulator(SOI)
在单晶硅片上形成绝缘薄层的硅单晶衬底材料。

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5.1 半导体材料
5.1.1 半导体材料
半导体工业的基础材料,按其结构可分为单晶体、多晶体和非晶体等;按其用途可分为微电子材料、光电子材料等;按其材料构成可分为元素半导体、化合物半导体、无定形半导体、有机增导体材料等。
5.1.5 多晶硅
由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体,可作拉制单晶硅的原料。从结构上分为大角度晶粒间界、孪晶间界或两种结构兼有的硅多晶三类。多晶硅一般呈深银灰色,不透明,具有金属光泽,性脆,常温下不活泼,分为电子级和太阳能级。
5.1.7 非晶硅
可制成非晶硅场效应晶体管,可作为非线性器件用于液晶显示器件、集成式a-si倒相器、集成式图像传感器以及双稳态多谐振荡器等器件中。
5.1.9 绝缘层硅
具有功耗低、开启电压低、高速、集成度提高、耐高温、抗辐照、与现有集成电路完全兼容等突出优点。


5.2 玻璃陶瓷


5.2.1 电子玻璃 electronic glass
应用于电子、微电子、光电子领域,用于制作集成电路以及具有光电、热电、声光、磁光等功能元器件的玻璃材料。
5.2.2 基板玻璃 glass substrate
制造液晶显示器、等离子体显示器、有机发光二极管显示器等显示器所使用的平板玻璃。
5.2.3 玻壳 glass shell
用于显像管,以隔离发光体和周围介质的透明或半透明壳体。
5.2.4 铅玻璃 lead glass
除二氧化硅、三氧化二硼等玻璃形成物外,组分中含有氧化铅的玻璃。
5.2.5 芯柱 stern
用玻璃或陶瓷与金属封接起来的电子管管壳的组成部分。
5.2.6 玻璃绝缘子 glass insulator
由钢化玻璃构成,使引出端与金属外壳避免导通短路且符合密封要求的绝缘零件。
5.2.7 玻璃窑炉 glass furnace
用耐火材料砌成的用于玻璃熔化的热工设备。
5.2.8 坩埚炉 crucible furnace
采用耐火材料制成,用于配料的熔化与玻璃液的澄清、均化、冷却等间歇作业的玻璃熔炉。
5.2.9 电子陶瓷 electronic ceramics
用于制造电子元件和器件的陶瓷材料。可分为结构陶瓷和功能陶瓷。
5.2.10 结构陶瓷 structural ceramics
具有优良的机械性能、热稳定性及化学稳定性,适合于制作不同温度下使用的结构件的陶瓷材料。
5.2.11 功能陶瓷 functional ceramics
具有各种物理特性的陶瓷材料,是与结构陶瓷对应的概念。其介电系数、电容、电阻、电阻率等主要电性能参数会随着温度的变化而变化,且为非线性关系。
5.2.12 铁电陶瓷 ferroelectric ceramics
在外电场作用下可发生自发极化、重新取向的铁电效应的陶瓷。

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5.2 玻璃陶瓷
5.2.2 基板玻璃
基板玻璃是目前在微电子、光电子和新能源等高新技术中应用最广、发展最快的电子玻璃之一。主要包括显示器和太阳能电池用基板、光掩膜基板(又称制版玻璃)等。
5.2.3 玻壳
玻壳生产涉及硅酸盐、机械、电子、化工、测量等专业技术及其相互间的配合。
5.2.4 铅玻璃
是一种具有较好屏蔽X-射线性能的玻璃,主要用于制造光学玻璃、电真空玻璃、低温封接玻璃、防辐射玻璃、铅晶质玻璃、火石类光学玻璃、低熔玻璃、延迟线玻璃、高折射微珠玻璃及艺术器皿玻璃等。
铅玻璃的组成式为RmOn-PbO-SiO2(B2O3)。其中氧化铅(PbO)为特征成分,赋予玻璃基本特性。随PbO含量的增加,玻璃的密度、折射率、色散、介电常数、对X射线和γ射线吸收系数等性能指标值增加;其硬度、高温黏度、软化温度、化学稳定性等指标值降低。
5.2.5 芯柱
既是管内零件的支架,也是电极与外部电路连接的枢纽。
5.2.7 玻璃窑炉
按照熔制玻璃所用容器的构造,玻璃窑炉分为池窑和坩埚窑两大类:按使用热源分为火焰窑、电热窑、火焰一电热窑:按熔制过程的连续性分为间歇式窑、连续式窑;按烟气余热回收设备分为蓄热式窑、换热式窑;按窑内火焰流动方向分为横焰窑、马蹄焰窑、纵焰窑;按制造的产品分为平板玻璃窑、日用玻璃窑;按窑的规模分为大型、中型、小型等。
5.2.8 坩埚炉
属于间歇式窑炉。以化学能为热源并按余热回收方式划分,坩埚炉主要分为蓄势式和换热式两大类。此外,还有用电能作为热源的坩埚炉。
5.2.9 电子陶瓷
指以电、磁、光、声、热、力、化学和生物等信息的检测、转换、耦合、传输及存储等功能为主要特征的陶瓷材料,是信息技术中基础元器件的关键材料。按功能和用途可以分为绝缘装置瓷、电容器瓷、铁电陶瓷、半导体陶瓷和离子陶瓷五类。
5.2.10 结构陶瓷
氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等都属于结构陶瓷。结构陶瓷具有优越的强度、硬度、绝缘性、热传导、耐高温、耐氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高温强度等特性,在非常严苛的环境或工程应用条件下,可展现出高稳定性与优异的机械性能。
5.2.11 功能陶瓷
种类繁多,超导陶瓷是最具代表性的,还包括压电陶瓷、电容器陶瓷、热敏陶瓷、气敏陶瓷、光敏陶瓷、磁性陶瓷、半导体陶瓷、绝缘陶瓷、介电陶瓷、发光陶瓷、感光陶瓷、吸波陶瓷、激光用陶瓷、核燃料陶瓷、推进剂陶瓷、太阳能光转换陶瓷、贮能陶瓷、陶瓷固体电池、阻尼陶瓷、生物技术陶瓷、催化陶瓷等。
功能陶瓷在自动控制、仪器仪表、电子、通信、能源、交通、冶金、化工、精密机械、航空航天、国防等部门均发挥着重要作用。
5.2.12 铁电陶瓷
其主晶相为铁电体,具有很高的介电常数(ε=1000~30000),是制造高比容电容器的重要电介质材料之一。应用最广的材料是BaTiO3及其固溶体。


5.3 光纤光缆


5.3.1 光纤 optical fiber
能高质量传导光的光导纤维的简称。
5.3.2 光缆 optical fiber cable
利用置于包覆护套中的一根或多根光纤作为传输媒介并可单独或成组使用的通信线缆组件。
5.3.3 单模光纤 single-mode fiber
只能传导单一基模的光纤。
5.3.4 多模光纤 multi-mode fiber
可传播多种基模的光纤。
5.3.5 光纤预制棒 optical fiber preform
径向折射率分布符合光纤设计要求的用于拉制光纤的玻璃棒。
5.3.6 全介质自承式光缆 all dielectric self-support(ADSS) optical fiber cable
采用全介质材料制成,自身加强构件能承受自重及外界负荷的室外电力光缆。
5.3.7 带状光缆 core ribbon cable
以多个单根光纤通过着色、堆叠成带和二次套塑的光纤带为单元加工成的光缆。
5.3.8 架空复合地线光缆 optical fiber ground wire(OPGW)
电力传输线路地线中,供通信用光纤单元的一种室外电力光缆。又称光纤架空地线。
5.3.9 海底光缆 submarine optical fiber cable
由可阻止氢渗透和防止化学腐蚀的涂碳光纤或涂钛光纤制成,敷设于海底的光缆。
5.3.10 松套层绞式光缆 stranded loose tube cable
将已着色的光纤与油膏同时加入到高模量塑料制成的松套管中,不同的松套管沿中心加强芯绞合制成缆芯,缆芯外加防护材料制成的光缆。
5.3.11 螺旋中心管式光缆 spiral space tube cable
将光纤套入由高模量塑料制成的螺旋空间松套管中,套管内填充防水化合物,套管外施加一层阻水材料和铠装材料,两侧放置两根平行钢丝并挤制聚乙烯护套制成的光缆。
5.3.12 紧套光缆 tight tube cable
用外径为250μm的紫外光固化一次涂覆光纤直接紧套一层材料制成900μm紧套光纤;以紧套光纤为单元,在单根或多根紧套光纤四周布放适当的抗张力材料,挤制一层阻燃护套材料制成的光缆。
5.3.13 中心束管式光缆 center bundle armoured optical cable
把光纤置于束管中间,并在束管内注入油膏,使光纤自由悬浮在缆芯中间,完全与空气和水隔离的光缆。

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5.3 光纤光缆
5.3.1 光纤
光纤通信的传输媒介。除了按制造工艺、材料组成以及光学特性进行分类外,在应用中常按用途分为通信用光纤和传感用光纤。
5.3.2 光缆
主要由光导纤维、塑料或者金属保护套管、金属或者非金属加强构件以及塑料外护层构成。
5.3.3 单模光纤
纤径较小,模场直径一般为9μm左右。
5.3.4 多模光纤
根据横截面折射率分布不同,分为阶跃型和梯度(渐变)型多模光纤。多模光纤芯径较大,一般为50μm或62.5μm。
5.3.5 光纤预制棒
主要指用各种气相沉积技术制成的石英基玻璃棒,有时也指用烧铸法和分子填充法等其他方法制成的具有芯和包层结构的其他种类的玻璃棒。
5.3.7 带状光缆
分为包封型和边粘型。每个带内可装有4根、8根、12根或16根光纤。带内光纤间距为0.28mm(对应于4根、8根)和0.3mm(对应于12根和16根)。
5.3.8 架空复合地线光缆
包括铅骨架型、不锈钢管型以及海底光缆型等。
5.3.9 海底光缆
分为海底通信光缆和海底光力光缆。在水深超过1000m的深海海底,光缆采用无钢丝铠装结构,光缆缆心的结构和加强构件可保护光纤;在水深1000m以内的浅海海底,光缆的缆心结构与深海光缆相同,但有单层或双层钢丝铠装。


5.4 其他电子材料


5.4.1 绝缘材料 insulating material
对电起到良好绝缘并能长期耐受电场作用的材料。
5.4.2 磁性材料 magnetic materials
具有可利用磁学性质的材料。
5.4.3 液晶材料 liquid crystal materials
在一定温度范围内既具有晶体特有的双折射性,又具有液体流动性的物质。
5.4.4 电子化学品材料 electronics chemical materials
电子工业中,电子元器件、印制电路板、工业及消费类整机等生产和包装用的各种专用化学品及材料。又称电子化工材料。
5.4.5 石英制品 quartz product
采用石英为主要原料制成的制品。
5.4.6 石墨制品 graphite product
采用石墨为主要原料制成的制品。
5.4.7 光敏抗蚀干膜 dry film photoresist
由聚酯薄膜、感光层和聚乙烯薄膜三合一而成的感光膜。
5.4.8 无氧铜 oxygen-free copper
采用真空无氧冶炼提高纯度,使之不含氧化亚铜和任何脱氧剂残留物的铜。
5.4.9 覆箔板 metal clad board,metal foil clad board
覆以金属箔(通常为铜箔)的绝缘材料。
5.4.10 覆铜板 copper clad laminate(CCL)
由木浆纸或玻纤布等作增强材料,浸以树脂,单面或双面覆以铜箔,经热压而成的一种产品。全称覆铜板层压板。
5.4.11 电子封装材料 electronic packaging materials
电子器件等生产中用于将其打包封装的绝缘材料。
5.4.12 光电子材料 optoelectronic materials
采用光电子技术,通过特定工艺制作的可处理、存储和传递信息的材料。
5.4.13 荧光粉 phosphor
在一定的激发条件下能发光的无机粉末材料。又称发光粉、夜光粉、晶态磷光体或磷光体。
5.4.14 电子浆料 electronic paste
电子信息产品制造过程中采用的由固体粉末和有机溶剂经过三辊轧制混合均匀的膏状物。
5.4.15 超导材料 superconducting materials
在一定温度下,电阻等于零的材料。
5.4.16 纳米材料 nano-materials
在三维空间中至少有一维处于1nm~100nm尺度范围的材料,或由这类材料作为基本单元构成的材料。
5.4.17 压电材料 piezoelectric materials
可将压强、振动等应力应变迅速转变为电信号,或将电信号转变为形变、振动等信号的机电耦合功能材料。
5.4.18 放射性材料 radioactive materials
具有自发地放出粒子或γ射线,或在发生轨道电子俘获后放出X-射线,或发生自发裂变等放射性的材料。
5.4.19 银浆 Ag paste
在环氧树脂中加入银粉,可作为填料的导电膏。
5.4.20 封框胶 seal agent
将液晶显示器上下两片玻璃四周边粘接(密封)使其保持一定的间隙,并使盒中液晶不渗漏,防止外界污染物进入的一种材料。

条文说明

5.4 其他电子材料
5.4.1 绝缘材料
绝缘材料的作用是在电气设备中把电势不同的带电部分隔离开来。常用绝缘材料性能指标有绝缘强度、拉伸强度、相对密度、膨胀系数等。
5.4.2 磁性材料
主要指由过渡元素铁、钴、镍及其合金等能够直接或间接产生磁性的物质。从材质和结构上讲,分为金属及合金磁性材料和铁氧体磁性材料两大类,铁氧体磁性材料又分为多晶结构材料和单晶结构材料。从应用功能上讲,分为软磁材料、永磁材料、磁记录-矩磁材料、旋磁材料等种类。从形态上讲,分为粉体材料、液体材料、块体材料、薄膜材料等。
5.4.3 液晶材料
根据分子排列的不同把液晶分为胆甾相、近晶相、向列相等形态。低温下是晶体结构,高温时则变为液体,在中间温度时则以液晶形态存在。
5.4.4 电子化学品材料
按用途可分为基板、光致抗蚀剂、电镀化学品、封装材料、高纯试剂、特种气体、溶剂、清洗前掺杂剂、焊剂掩模、酸及腐蚀剂、电子专用胶黏剂及辅助材料等大类。
5.4.6 石墨制品
石墨是碳元素的一种同素异形体,化学稳定性极高,是常用的固体润滑剂。可作为耐热材料、耐腐蚀材料、导电材料等。
5.4.7 光敏抗蚀干膜
包括溶剂型和水溶性两种类型。
5.4.8 无氧铜
纯度达到99.99%、99.999%、99.9999%,并分别用4N、5N、6N来表示(每一个N代表1个9,N即英文nine的词首字母)。一般用于音响器材、真空电子器件、电缆等电工电子应用之中。
5.4.12 光电子材料
已投入使用的光电子材料分为光学功能材料、激光材料、发光材料、光电信息传输材料(主要是光导纤维)、光电存储材料、光电转换材料、光电显示材料(如电致发光材料和液晶显示材料)和光电集成材料等。
5.4.13 荧光粉
按激发方式不同,荧光粉可分为光致发光、电致发光、阴极射线致发光和放射线致发光等不同种类。目前,国内外荧光材料主要用ZnS、SrS和CaS制成,发出绿光和黄光。SrS、CaS材料易潮解,市场上主要以ZnS为主。
5.4.14 电子浆料
制造厚膜元件的基础材料。按用途不同,分为介质浆料、电阻浆料和导体浆料;按基片种类,分为陶瓷基片、聚合物基片、玻璃基片和金属绝缘基片电子浆料等;按烧结温度不同,分为高温、中温和低温烘干电子浆料;按用途不同,分为制作一般性的厚膜电路的通用电子浆料和不锈钢基板电子浆料、热敏电阻浆料等专用电子浆料;按导电相的价格,分为银钯、钌系和金浆等贵金属电子浆料和钼锰浆料等贱金属电子浆料。
5.4.15 超导材料
与常规导电材料的性能有很大的不同,主要有零电阻性、完全抗磁性、约瑟夫森效应等特性。按其化学成分可分为元素材料、合金材料、化合物材料和超导陶瓷。
5.4.16 纳米材料
纳米尺度指相当于10个~100个原子紧密排列在一起的尺度。纳米材料大致可分为纳米粉末、纳米纤维、纳米膜、纳米块体等四类。其中纳米粉末开发时间最长、技术最为成熟,是生产其他三类产品的基础。
5.4.17 压电材料
可分为压电单晶材料、压电陶瓷材料、压电薄膜、压电高分子材料等四类。
5.4.20 封框胶
分为热固化环氧胶和紫外线固化型环氧胶。


6 电子专用设备类工程


6.0.1 真空设备 vacuum equipment
产生、改善和(或)维持真空环境的装置。包括真空应用设备和真空获得设备。
6.0.2 真空镀膜设备 vacuum coating equipment
在真空中用蒸发等方法将蒸发材料沉淀于工件上,形成均匀牢固的薄膜以完成镀膜工艺的设备。
6.0.3 溅射设备 sputtering equipment
在真空中利用溅射方法制造薄膜的设备。
6.0.4 排气设备 exhaust equipment
对某一容器抽气进行一定工艺处理,使之达到所需真空度,并将其封离的设备。
6.0.5 电子束加工设备 electron beam process equipment
利用电子束的特性进行切割、打孔、焊接、熔炼、蒸发、掺杂等工艺的设备,以及利用低能量电子束对某些物质的化学作用进行镀膜、曝光等加工的设备。
6.0.6 离子束加工设备 ion beam process equipment
利用离子束的特性进行切割、打孔、焊接、熔炼、蒸发、掺杂等工艺的设备。
6.0.7 激光加工设备 laser process equipment
利用激光的作用原理来进行打孔、切割、焊接、蒸发、光刻、曝光、掺杂、扩散等工艺的设备。
6.0.8 单晶炉 crystal growing furnace
采用高温熔化方法,由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备。
6.0.9 切片机 slicing machine
将半导体硅锭等脆硬棒材切割成规定厚度片材的设备。
6.0.10 波峰焊机 flow welding machine
将熔化的铅锡合金软钎焊料,经电动泵或电磁泵喷流成设计要求的焊料波峰的设备。
6.0.11 表面贴装设备 surface mounted technology(SMT) machine
采用表面贴装技术,将传统的电子元器件压缩成为只有原来体积几十分之一的器件,实现电子产品组装高密度、高可靠、小型化、低成本以及生产自动化的组装设备。又称SMT设备。
6.0.12 等离子增强化学气相沉积设备 plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)machine
利用等离子体的活性促进反应,能在较低温度下进行化学气相沉积法的反应设备。
6.0.13 金属有机化合物化学气相沉积设备 metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)machine
利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜这种化学气相沉积技术,生长金属有机化合物半导体及其多元固溶体薄层单晶材料的生长设备。
6.0.14 拉丝塔 drawing tower
可高速将光纤预制棒连续拉制成丝状光纤的生产设备。
6.0.15 光纤拉丝塔加热炉 heating furnace of optical fiber drawing tower
把预制棒下部尖端加热到2200℃,使棒的尖端处于熔融状态,在重力和拉丝塔下部拉丝盘的作用下拉制光纤的装置。
6.0.16 光纤拉丝塔冷却装置 cooling unit of optical fiber drawing tower
位于熔融光纤预制棒的熔炉下面,用于冷却由光纤预制棒拉出的光纤的装置。
6.0.17 光纤拉丝塔涂覆装置 coating unit of optical fiber drawing tower
拉丝过程中对裸光纤施加预涂覆层进行保护的装置。
6.0.18 光纤拉丝塔控制装置 control system of optical fiber drawing tower
为减小光纤纤芯直径波动造成的非固有散射损耗,在光纤拉丝塔上设置的控制系统。
6.0.19 在线测试仪 in circuit tester(ICT)
通过对元器件的电性能及电气连接进行在线测试,检查生产制造缺陷及元器件不良品的测试仪器。
6.0.20 环境试验设备 environmental test equipment
为保证可靠性,根据电子元器件、电子设备的使用场合及运输条件等设计制造的单项试验设备或综合试验设备。
6.0.21 振动试验台 shaker
产生一定振动运动的环境试验设备。
6.0.22 冲击试验台 shock test machine
利用机械或气动、液压等原理产生冲击力,使试验台台面实现冲击运动,用来对试件进行碰撞和冲击试验的设备。
6.0.23 运输试验台 traffic simulator
对电子产品进行铁路、公路运输状况模拟,检查电子产品经受运输能力的试验设备。
6.0.24 离心加速度试验机 centrifugal acceleration test machine
利用机械旋转产生离心力的方法获得恒加速度,对试件进行恒加速度试验的设备。
6.0.25 温度试验箱 temperature test chamber
用于测试电子元器件能否耐受高温和低温的设备。
6.0.26 潮湿箱 humidity chamber
用于测试电子元器件能否耐受潮湿的设备。
6.0.27 低气压试验箱 low pressure test chamber
对电子元器件进行低气压试验的设备。
6.0.28 净化设备 equipment for clean room
为维护洁净室或洁净环境洁净条件而使用的、有完整功能的、可单独安装的设备。又称洁净设备。

条文说明

6 电子专用设备类工程
6.0.1 真空设备
包括真空电阻炉、排气台、真空镀膜设备、电子束加工机等。一般由镀膜工作室、真空系统、蒸发源、基片等组成。
6.0.8 单晶炉
根据不同的工艺要求和生产方法可分为直拉单晶炉、磁场直拉单晶炉、悬浮区熔单晶炉、电子束单晶炉、液封直拉单晶炉、水平区熔单晶炉。其中,根据反应室内惰性气体工作压力不同,液封直拉单晶炉又分为高压单晶炉(气体压力在2MPa以上)、中压单晶炉(气体压力在0.5MPa到2MPa之间)和低压单晶炉(气体压力在0.3MPa左右)。
6.0.9 切片机
分为内圆切片机和外圆切片机,分别可用内圆刃部镀有金刚石细粒的环形不锈钢刀片、外圆刃部镀有金刚石细粒的圆形不锈钢刀片,将半导体单晶等脆硬棒材切割成高精度硅片。
6.0.12 等离子增强化学气相沉积设备
采用平板电极结构,由装卸室、传送、反应室及真空系统等组成。
6.0.13 金属有机化合物化学气相沉积设备
金属有机化合物化学气相沉积是在硅气相外延技术基础上发展起来的气相外延生长技术。
6.0.14 拉丝塔
主要由预制棒加热炉、光纤测径、涂覆装置、紫外固化、光纤拉丝盘和塔架等组成。
6.0.15 光纤拉丝塔加热炉
拉丝塔的关键组成部分。
6.0.18 光纤拉丝塔控制装置
利用传感器测温电路、加热炉温度、直径测量和控制电路等,实现对拉丝芯径范围的控制。
6.0.20 环境试验设备
单项环境试验设备有低温试验箱、高温试验箱、低气压试验籍和潮湿试验箱等;综合环境试验设备有振动试验台、冲击试验台和,离心加速度试验台等。
6.0.21 振动试验台
按结构分为机械式振动试验台、电液式振动试验台和电力式振动试验台等;按波形分为正弦波振动试验台和随机波振动试验台等。
6.0.22 冲击试验台
可分为连续冲击试验台和单次冲击试验台。单次冲击试验台的冲击加速度值比连续冲击试验台的高。冲击试验台的冲击加速度值和冲击持续时间应在规定指标范围内连续可调。
6.0.27 低气压试验箱
试验箱为金属制的紧固箱,有密封门、观察窗、压力表等,气压箱内的空气可用抽气机抽去。
6.0.28 净化设备
包括净化工作台(clean bench)、空气吹淋室(air shower)、物料吹淋室(parts cleaning air shower)等。


7 电子工程建设特种技术


7.1 洁净技术


7.1.1 洁净室 clean room(CR)
空气悬浮粒子浓度受控的房间。
7.1.2 洁净区 clean zone
空气悬浮粒子浓度受控的限定空间。
7.1.3 人身净化用室 room for cleaning human body
人员在进入洁净室(区)之前按一定程序进行净化的房间。
7.1.4 物料净化用室 room for cleaning material
物料在进入洁净室(区)之前按一定程序进行净化的房间。
7.1.5 粒径 partical size
由给定的粒子尺寸测定仪响应当量于被测粒子等效的球体直径。对离散粒子计数、光散射仪器采用当量光学直径。
7.1.6 悬浮粒子 airborne particles
用于空气洁净度分级的空气中,尺寸范围在0.1μm~5μm的固体和液体粒子。
7.1.7 超微粒子 ultrafine particle
当量直径小于0.1μm的粒子。
7.1.8 微粒子 microparticle
当量直径大于5μm的粒子。
7.1.9 粒径分布 particle size distribution
粒子粒径的频率分布和累积分布,是粒径的函数。
7.1.10 含尘浓度 particle concentration
单位体积空气中悬浮粒子的颗数。
7.1.11 洁净度 cleanliness
以单位体积空气中某粒径粒子的数量来区分的洁净程度。
7.1.12 洁净度等级 cleanliness class
洁净空间单位体积空气中,以大于或等于被考虑粒径的粒子最大浓度限值进行划分的等级标准。
7.1.13 空态 as-built
设施已建成,所有动力接通并运行,但无生产设备、材料及人员的洁净室状态。
7.1.14 静态 at-rest
设施已建成,生产设备已安装并按业主及供应商同意的状态运行,但无生产人员的洁净室状态。
7.1.15 动态 operational
设施以规定的状态运行,有规定的人员在场并在商定的状况下进行工作的洁净室状态。
7.1.16 气流流型 air pattern
室内空气的流动形态和分布。
7.1.17 单向流 unidirectional airflow
沿单一方向呈平行流线并且横断面上风速一致的气流。包括垂直单向流和水平单向流。
7.1.18 非单向流 non-unidirectional airflow
凡不符合单向流定义的气流。
7.1.19 混合流 mixed airflow
单向流和非单向流组合的气流。
7.1.20 洁净工作区 clean working area
除工艺特殊要求外,洁净室内距离地面高度0.8m~1.5m的区域。
7.1.21 空气吹淋室 air shower
利用高速洁净气流吹落并清除进入洁净室人员或物料表面附着粒子的小室。
7.1.22 气闸室 airlock
设置在洁净室出入口,阻隔室外或相邻房间的污染气流和控制压差的缓冲间。
7.1.23 传递窗 passbox
在洁净室隔墙上设置的传递物料和工器具的开口。两侧窗扇的开启应进行联锁控制。
7.1.24 洁净工作台 clean bench
能保持操作空间所需洁净度的工作台。
7.1.25 洁净工作服 clean working garment
为把工作人员产生的粒子限制在最低程度所使用的发尘量少的洁净服装。
7.1.26 高效空气过滤器 high efficiency particulate air filter(HEPA)
在额定风量下,最易穿透粒径的效率在99.95%以上且气流初阻力在220Pa以下的空气过滤器。
7.1.27 超高效空气过滤器 uhra low penetration air filter(ULPA)
在额定风量下,最易穿透粒径的效率在99.9995%以上且气流初阻力在250Pa以下的空气过滤器。
7.1.28 微环境 minienvironment
将产品生产过程与操作人员、污染物进行严格分隔的隔离空间。
7.1.29 风机过滤器机组 fan filter unit(FFU)
由高效空气过滤器或超高效空气过滤器与风机组合在一起,自身可提供动力的末端空气净化装置。
7.1.30 检漏试验 leakage test
检查空气过滤器及其与安装框架连接部位等密封性的试验。
7.1.31 自净时间 cleanliness recovery characteristic,self-cleaning time
洁净室被污染后,净化空调系统开始运行至洁净室恢复到稳定的室内洁净度规定等级的时间。又称清洁恢复特性。
7.1.32 技术夹层 technical mezzanine
洁净厂房中用于安装辅助设备和公用动力设施以及管线等,以水平构件分隔构成的空间。
7.1.33 技术夹道 technical tunnel
洁净厂房中用于安装辅助设备和公用动力设施以及管线等,以垂直构件分隔构成的廊道。
7.1.34 技术竖井 technical shaft
洁净厂房中用于安装辅助设备和公用动力设施以及管线等,主要以垂直构件分隔构成的井式管廊。

条文说明

7.1 洁净技术
7.1.1 洁净室
其建造和使用应减少室内诱入、产生及滞留粒子。室内其他有关参数,如温度、湿度、压力等,应按要求进行控制。
7.1.2 洁净区
其建造和使用应减少空间内诱入、产生及滞留粒子。空间内其他有关参数,如温度、湿度、压力等,应按要求进行控制。洁净区包括开放式、封闭式。
7.1.18 非单向流
一种不均匀气流分布方式,其速度、方向在洁净室内的不同地方而不同,是洁净室中最为普遍的气流组织形式。


7.2 电磁屏蔽


7.2.1 电磁环境 electromagnetic environment
存在于给定场所的电磁现象的总和。
7.2.2 电磁辐射 electromagnetic radiation
能量以电磁波的形式通过空间进行传播的现象。
7.2.3 电磁波暗室 electromagnetic(EM)wave anechoic chamber
满足特定测试要求的电磁环境。
7.2.4 吸波材料 absorbers
能吸收投射到其表面电磁波能量的材料。
7.2.5 电磁兼容性 electromagnetic compatibility(EMC)
设备、分系统、系统在共同的电磁环境中能实现各自功能的共存状态。
7.2.6 电磁干扰 electromagnetic interference(EMI)
导致设备、传输信道和系统性能劣化的电磁骚扰。
7.2.7 电磁敏感性 electromagnetic susceptibility
因电磁干扰而引起的设备或系统性能下降的特性。
7.2.8 电磁屏蔽 electromagnetic shielding
用导电或导磁材料结构体衰减电磁波向指定区域传输的措施。
7.2.9 电磁屏蔽室 electromagnetic shielding room
采用电磁屏蔽和其他技术建造的,在关闭状态下能对内外电磁环境实现一定程度隔离的房间。
7.2.10 屏蔽效果 shielding effectiveness
空间某一区域屏蔽后的电磁场强度比屏蔽前电磁场强度降低的分贝数。

条文说明

7.2 电磁屏蔽
7.2.1 电磁环境
由空间、时间和频谱三个要素组成。
7.2.3 电磁波暗室
由暗室、功能性用房、辅助用房等组成。
7.2.10 屏蔽效果
不仅与屏蔽材料的性能有关,也与辐射频率、屏蔽体与辐射源的距离以及壳体上可能存在的各种不连续的形状和数量有关。


7.3 防静电


7.3.1 静电 static electricity
一种处于相对稳定状态但不是静止不动的电荷。
7.3.2 静电放电 electrostatic discharge(ESD)
当带静电物体表面的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时,因介质电离而使带电体上的电荷部分或全部消失的现象。
7.3.3 静电危害 electrostatic harm
因静电放电产生的电磁辐射或静电感应而对电子元器件及仪器产生的有害影响。
7.3.4 电晕放电 corona discharge
发生电场不均匀、场强较高的电离放电的现象。伴有蓝紫色荧光。
7.3.5 室内静电电位 inner electrostatic potential
在设定的区域环境内,任一物体对地的静电电位差。
7.3.6 静电放电敏感 electrostatic discharge sensitive(ESDS)
产品性能受静电放电影响或损坏的敏感性。简称静电敏感。
7.3.7 静电噪声 electrostatic noise
静电放电产生的电磁波辐射对电子装置、通信设施等产生的电磁干扰。
7.3.8 防静电工作区 electrostatic discharge protected area(EPA)
配备各种防静电设备和器材,能限制静电电位,具有确定边界,适于从事静电防护操作的特定工作环境。
7.3.9 静电感应 electrostatic induction
在静电场影响下引起物体上的电荷重新分布的现象。
7.3.10 静电泄漏 electrostatic leakage
带电体上的电荷通过其内部或表面等途径使之部分或全部消失的现象。又称静电泄放。
7.3.11 表面电阻 surface resistance
在材料同一表面上相接触的两个规定形状的电极间施加的直流电压与流过两电极间的稳态电流之商。
7.3.12 体积电阻 volume resistance
在材料相对两表面上放置的两个规定形状的电极间施加的直流电压与流过两电极间的稳态电流之商。
7.3.13 表面电阻率 surface resistivity
沿试样表面电流方向的直流电场强度与单位长度的表面传导电流线密度之比。
7.3.14 体积电阻率 volume resistivity
沿物体体积电流方向的直流电场强度与该处的电流面密度之比。
7.3.15 对地电阻 resistance to earth
在被测物体表面一点对接地连接点或防静电接地装置之间的电阻。
7.3.16 静电半衰期 electrostatic half-life
外界作用撤除后,带电体上静电电压或静电电荷下降到其初始值的1/2时所需的时间。
7.3.17 静电衰减期 electrostatic decay time
外界作用撤除后,带电体上静电电压或静电电荷下降到其初始值的10%时所需的时间。
7.3.18 摩擦起电电压 triboelectric voltage
用摩擦方法使物体带电的表面对地电位差。
7.3.19 静电接地 electrostatic grounding
将金属导体通过接地极与大地进行电气上的连接,将静电电荷安全传导到地的措施。
7.3.20 间接接地 indirect grounding
为使非金属物体进行静电接地,将其表面的全部或局部与接地的金属体紧密接触的一种接地方式。
7.3.21 软接地 soft grounding
通过足够的接地阻抗,将电流限制在5mA的人身安全电流以下的接地方式。
7.3.22 防静电接地系统 electrostatic discharge(ESD) grounding system
使静电泄放到大地而配置的接地线分支系统。又称ESD接地系统、静电放电接地系统。
7.3.23 防静电接地电阻 electrostatic grounding resistance
从防静电对象接地连接点至接地体(包括接地支线、接地干线和接地体)电阻的总和。
7.3.24 静电中和 electrostatic dissipation
带电体上的电荷与其内部或外部异性电荷的结合而使所带静电电荷部分或全部消失的现象。
7.3.25 静电耗散型材料 electrostatic dissipative material
因泄放能使静电荷部分或全部消失的材料。
7.3.26 导静电型材料 static conductive material
能直接快速转移静电荷的材料。
7.3.27 防静电环境 electrostatic discharge(ESD)controlled environment
具有防止静电危害设施的特定环境。

条文说明

7.3 防静电
7.3.1 静电
由静电引起的磁场效应较之电场效应可以忽略不计。静电可由物质的接触与分离、介质极化和带电微粒的附着等物理过程产生。
7.3.11 表面电阻
在电极上可能的极化现象忽略不计。
7.3.12 体积电阻
在该两电极上可能的极化现象忽略不计。
7.3.23 防静电接地电阻
直接静电接地电阻为接地体或自然接地体的对地电阻和接地线电阻的总和。间接静电接地电阻为被接地物体的接地极与大地之间的总电阻,主要由导电防静电材料或防静电制品的电阻决定。
7.3.25 静电耗散型材料
该材料的表面或体积电阻应在1.0×106Ω~1.0×109Ω之间。
7.3.26 导静电型材料
该材料的表面或体积电阻应在2.5×104Ω~1.0×109Ω(不含1.0×109Ω)之间。
7.3.27 防静电环境
在防静电环境中,不易产生静电或静电产生后易于泄放或消除,静电噪声难以传播。


7.4 微振动控制


7.4.1 微振动 micro-vibration
影响精密设备及仪器正常运行的振动幅值较低的环境振动。
7.4.2 微振动控制 micro-vibration control
保证精密设备与仪器正常工作所采取的减弱环境振动影响的措施和过程。
7.4.3 振型 mode shape
结构按某一自振周期振动时的形态。
7.4.4 振动频率 vibration frequency
单位时间内振动周期的个数。
7.4.5 振动幅值 vibration amplitude
质点作简谐振动时的最大振动位移。
7.4.6 振动模态 mode of vibration
振动系统特性的一种表征。
7.4.7 容许振动值 allowance value of vibration
保证正常工作时,设备和仪器支承结构处的最大振动量值。
7.4.8 频谱分析 spectrum analysis
将采集到的数据利用数字信号处理手段进行频谱变换,并根据实际选择需要的数据,对数据进行分析的过程。
7.4.9 功率谱密度 power spectral density
振动能量在频域上的分布状况。
7.4.10 阻尼比 ratio of damping
描述振动衰减变化的指标。
7.4.11 地基刚度 foundation stiffness
地基抵抗变形的能力。
7.4.12 固有振动频率 natural frequency
系统在自由振动下所具有的振动频率。
7.4.13 主动隔振 active vibration isolation
为减小动力设备产生的振动对外界环境的影响而对其采取的隔振措施。
7.4.14 主动隔振系统 active vibration isolation system
当平台受扰动时,在系统上添加控制单元、能量输出单元,根据平台扰动力的变化实时控制平台振动加速度、速度、位移量,使其维持在零点附近的系统。
7.4.15 被动隔振 passive vibration isolation
为减小环境振动对精密设备及仪器的影响而对其采取的隔振措施。
7.4.16 隔振器 vibration isolator
具有衰减振动功能的支承器件。
7.4.17 阻尼器damper
用能量损耗的方法减小振动幅值的装置。
7.4.18 空气弹簧 air spring
利用空气压力的变化对弹簧刚度和空气流动进行调节从而控制阻尼的弹簧。
7.4.19 隔振平台 isolation platform
设备与隔振器之间的结构物。
7.4.20 振动传递率 vibration transmissibility
对于主动隔振,为隔振体系在扰力作用下的输出振动线位移与静位移之比;对于被动隔振,为隔振体系的输出振动线位移与受外界干扰的振动线位移之比;对于地面屏障式隔振,为屏障设置后地面振动线位移与屏障设置前地面振动线位移之比。
7.4.21 环境振动 environment vibration
建筑场地或建筑物在内外各种振源影响下的振动。
7.4.22 建筑结构防微振体系 structure micro-vibration control system
为保证精密设备及仪器正常运行,对建筑结构采取的减弱环境振动影响的综合措施。
7.4.23 建筑结构微振动态响应计算 calculation of structure dynamic response on micro-vibration controlling
对建筑结构的动态特性进行计算,考察建筑结构对振源的微振动传递能力的数值计算方法。
7.4.24 建筑结构模态计算 modal structure calculation
用数值方法对建筑结构进行模态计算。
7.4.25 微振动测试分析 micro-vibration test and analysis
用高灵敏度传感器对拟建工程用地或建筑结构的微振动状况进行的评估。
7.4.26 场地振动衰减 vibration attenuation of the ground
振源产生的振动在地面上随距离的增加而减弱的一种现象。
7.4.27 水平重复精度 levelling repeatable accuracy
调平后的隔振平台,在被隔振体因质量及质心位置变化引起的平台倾斜再次调平后,与前次调平相比的位移差。
7.4.28 动态稳定时间 dynamic settling time
隔振平台在受外力扰动后调平所用的时间。

条文说明

7.4 微振动控制
7.4.5 振动幅值
在振动线性频谱中指各频率对应的幅值。
7.4.6 振动模态
包括自振频率、振型、模态参量、模态刚度及模态阻尼等。
7.4.9 功率谱密度
每个频率点对应的幅值为各个频率的功率谱密度。
7.4.10 阻尼比
特指单自由度振动系统中阻尼与刚度及质点的关系。
7.4.11 地基刚度
其值为施加于地基上的力(力矩)与它引起的线变位(角变位)之比。
7.4.12 固有振动频率
在有限自由度的系统中是质点质量与弹簧刚度的数值关系,在材料连续、体积有限的物体中为自身模态所对应的频率。
7.4.13 主动隔振
如减小动力机器产生的振动等。
7.4.24 建筑结构模态计算
一般采用有限元法。


7.5 消音降噪


7.5.1 声压 sound pressure
有声波时,媒介中的压力与静压的差值。
7.5.2声强 sound intensity
单位时间内通过垂直于声波传播方向的单位面积的声能。
7.5.3 声场 sound field
媒质中有声波存在的区域或有声波存在的空间。
7.5.4 自由场 free sound field
在均匀各向同性媒质中,反射声可以忽略不计的声场。
7.5.5 消声室 anechoic room
边界有效吸收所有入射声,使空间的中心部位形成自由场的房间。
7.5.6 半消声室 sami-anechoic room,hemi-anechoic room
在反射面上方可获得模拟自由场的房间。
7.5.7 多功能消声室 multi-function anechoic room
既可作为消声室又可作为半消声室使用的房间。
7.5.8 声控室 sound control room
控制电声系统的监控房间。
7.5.9 室内声学 room acoustics
研究室内声场和音质问题的科学。
7.5.10 吸声系数 sound absorption coefficient
入射声能被材料表面或媒质吸收的百分数值。
7.5.11 吸声材料 sound absorption material
通过多孔材料薄膜作用或共振作用,对入射声能有吸收作用的材料。
7.5.12 降噪系数 noise reduction coefficient(NRC)
表示材料或构造吸声特性的数值。
7.5.13 等效吸声面积 equivalent absorption area
面积乘以吸声系数的值。又称等效吸声量,单位为m2
7.5.14 房间吸声量 room absorption
房间内各个表面和物体的总吸声量加上房间内在媒质中的损耗量。
7.5.15 微穿孔板吸声结构 microperforated absorber
装置在刚性墙前一定距离处的穿孔板结构。
7.5.16 空气声 air-borne sound
声源经过空气向四周传播的噪声。
7.5.17 固体声 solid-borne sounld
建筑物声源经过固体向四周传播的撞击声。
7.5.18 隔声量 sound reduction index
建筑构件一侧的入射声功率级与另一侧的透射声功率级之差。单位为dB(分贝)。
7.5.19 质量定律 mass law
决定墙体隔声量的定律。
7.5.20 声桥 sound bridge
在双层或多层隔声结构中两层间的刚性连接物,声能可以振动的形式通过它在两层间传播。
7.5.21 声锁 sound lock
可大量吸收声能的小室或走廊。又称声阱、声闸。
7.5.22 浮筑楼板 floating floor
在楼板面层与结构层和四周墙壁之间铺放的软木、橡胶、玻璃棉等弹性垫层。
7.5.23 噪声 noise
不需要的声音。
7.5.24 背景噪声 background noise
来自被测声源外的所有其他声源的噪声。又称本底噪声。
7.5.25 环境噪声 ambient noise,environmental noise
在某一环境下由多个不同位置的声源产生的总噪声。
7.5.26 无规噪声 random noise
幅度、频率、相位等没有规律,瞬时值不能预先确定的声振荡。
7.5.27 白噪声 white noise
频谱连续且能量分布均匀的噪声。
7.5.28 粉红噪声 pink noise
频谱连续且其幅度与频率成反比的噪声,每倍频程内能量恒定。又称典型噪声。
7.5.29 倍频程带宽 octave bandwidth
两个比率为2的音频之间的间隔。
7.5.30 消声器 muffler,silencer
具有吸音衬里或特殊形状的气流管道。
7.5.31 水声学 hydroacoustics
研究与水环境相关的声学问题的科学。
7.5.32 消声水池 anechoic water tank
边界有效吸收所有入射声,使池中心部位形成自由场的水池。
7.5.33 水池本底噪声 background noise of water tank
在水池中,由水听器收到的除测试设备本身的噪声以外的水中噪声。
7.5.34 尖劈 wedge absorber
用于吸收入射声波能量且能降低反射,安装在消声室边界上的锥形体。
7.5.35 隔声吸声门 acoustical insulation and sound proof door
对外阻隔外部噪声传入消声室,对内则吸收声能并防止声反射的门。

条文说明

7.5 消音降噪
7.5.1 声压
声压一般情况下理解为有效声压(一段时间内瞬时压力的均方根)的简称。符号P,单位是牛顿/米2(N/m2),或帕斯卡(Pa),或微巴(μbar)。
7.5.2 声强
单位时间内,在垂直于声波传播方向的单位面积上所通过的声能。符号I,单位为瓦/米2(W/m2)。
7.5.4 自由场
自由场中声强的变化与距离的平方成反比。
7.5.14 房间吸声量
房间内媒质中的损耗等于4mv,其中m是空气中的声衰减系数,v是房间的体积。
7.5.15 微穿孔板吸声结构
可视为无限多个共振器吸音结构。
7.5.18 隔声量
符号R,单位为分贝(dB)。R=10lg(I/r),其中r为透射系数。
7.5.19 质量定律
材料面密度每增加一倍则隔声量增加6dB。
7.5.25 环境噪声
常为多个不同位置的声源产生的声音之和。
7.5.26 无规噪声
不一定是白噪声。
7.5.28 粉红噪声
是建筑声学中常用的测试信号。
7.5.35 隔声吸声门
一般为两道门,分别起隔声和吸声作用。


7.6 废弃电器电子产品处理


7.6.1 废弃电器电子产品 waste electrical and electronic products
产品的拥有者不再使用且已丢弃或放弃的电器电子产品,又称电子废弃物、电子垃圾。
7.6.2 预先取出 advanced fetch
废弃电器电子产品拆解过程中,先对特定的含有毒、有害物的零部件、元器件及材料进行拆卸、分离的活动。
7.6.3 拆解 disassembly
通过人工或机械方式对废弃电器电子产品进行拆卸、解体,以便于处理的活动。
7.6.4 处理 treatment
对废弃电器电子产品进行除污、拆解、破碎及再生利用的活动。
7.6.5 处置 disposal
采用焚烧、填埋或其他改变固体废物的物理、化学、生物特性的方法,达到减量化或者消除其危害性的活动,或将固体废物最终置于符合环境保护标准规定的场所或者设施的活动。
7.6.6 分选 selection by classification
通过不同方法对废弃电器电子产品中不同种类的可再生资源及废物进行分离的活动。
7.6.7 热解 pyrolysis
利用原料中有机物的热不稳定性,在无氧或缺氧条件下,对原料进行加热蒸馏,使有机物发生热分解转化的过程。
7.6.8 物理处理 physical treatment
对废弃电器电子产品进行机械破碎,并利用其材料的不同密度、导电性和磁性等特性进行分选、资源回收的活动。
7.6.9 化学处理 chemical treatment
通过化学反应或电化学方法处理废弃电器电子产品,并对其进行资源回收的活动。
7.6.10 火法冶金 pyrometallurgy
利用高温使废弃电器电子产品中金属和非金属物质分离,从中提取金属或金属化合物的过程。
7.6.11 湿法冶金 hydrometallurgy
利用废弃电器电子产品中金属在强氧化性介质中溶解的特性,对废弃电器电子产品中的金属和其他有用物质进行分离和提取的过程。
7.6.12 干式清洗 dry cleaning
不使用液态溶液或溶剂作为清洗介质的清洗过程。
7.6.13 湿式清洗 wet cleaning
采用液态溶液或溶剂作为清洗介质,利用清洗介质对特定物质的溶解、冲刷以及亲和特性,将特定物质分离、去除的过程。
7.6.14 再使用 reuse
废弃电器电子产品或其中的零部件、元器件继续使用,或经清理、维修后符合相关标准继续用于原来用途的行为。
7.6.15 产品可再生利用标识 recyclability marking of the product
表示产品可再生利用以及明示材料中有关成分、不得随意丢弃的标记。
7.6.16 再使用零部件 reusable cormponents
经过清洗、维护、修复等,经检验符合相应的国家现行有关标准,仍能按原功能继续正常使用的废弃电器电子产品的零部件、元器件。
7.6.17 能量回收 energy recovery
通过焚烧、热解等方式处理废弃电器电子产品以回收能量的过程。
7.6.18 直接再生 recycling directly
保持原产品的材料成分、性能不变,仍用于原用途的再生利用方式。
7.6.19 改性再生 modified recycling
通过各种手段改变原产品的材料成分或性能,达到再生利用目的的再生利用方式。
7.6.20 再生利用 recycling
对废弃电器电子产品进行处理,使之能作为原材料重新利用的过程。
7.6.21 回收利用 recovery
对废弃电器电子产品进行处理,使之能满足其原来的使用要求或用于其他用途的过程。
7.6.22 再生材料 recycled material
对失去原使用价值的材料进行加工处理后,产生的重新获得使用价值的材料。
7.6.23 均质材料 homogeneous material
各部分组成相同且不能通过机械手段进一步拆分的材料。
7.6.24 拆余物 disassembling remainders
经拆解得到的废弃电器电子产品零部件、元器件等散件或残余物。
7.6.25 有毒有害物质 hazardous substance
废弃电器电子产品中含有的对人、动植物和环境等产生危害的物质或元素。
7.6.26 收集率 collection rate
收集的废弃电器电子产品的数量或质量与所生产的数量或质量的百分比。
7.6.27 再生利用率 recycling rate
废弃电器电子产品中能被再使用部分与不包括能量回收的再生利用部分的质量之和,与其质量之比。
7.6.28 回收利用率 recovery rate
废弃电器电子产品中,包括再使用、再生利用和能量回收等能被回收利用部分的质量之和,与其质量之比。
7.6.29 可再生利用率 recyclability rate
新产品中能再使用部分与不包括能量回收的再生利用部分的质量之和,占新产品质量的百分比。
7.6.30 可回收利用率 recoverability rate
新产品中,包括再使用、再生利用和能量回收等能被回收利用部分的质量之和,占新产品质量的百分比。
7.6.31 产品生态设计 eco-design of product(ECD)
为提高产品生命周期内的环境绩效,优化产品的环境影响而将环境因素引入产品的设计和开发的活动。又称环境意识设计、绿色设计、环境化设计。
7.6.32 环保使用期限 environment-friendly use period
产品用户使用该产品不会对环境造成严重污染或对其人身、财产造成严重损害的期限。

条文说明

7.6 废弃电器电子产品处理
7.6.1 废弃电器电子产品
包括构成产品的所有零部件、元器件和材料,以及在生产、运输、销售过程中产生的不合格产品、报废产品和过期产品。
7.6.12 干式清洗
无废液产生。
7.6.13 湿式清洗
有废液产生。
7.6.20 再生利用
不包括能量的回收和利用。
7.6.21 回收利用
包括对能量的回收和利用。
7.6.25 有毒有害物质
包括铅(pb)、汞(Hg)、镉(Cd)、六价铬(Cr6+)、多溴联苯(PBB)、多溴联苯醚(PBDE)(十溴二苯醚除外)、多氯联苯(PCBs)及含有消耗臭氧层的物质等。


7.7 工艺技术与工艺设计


Ⅰ整机生产工艺

7.7.1 元器件老化筛选 selection of components by aging method
给电子元器件施加热的、电的、机械的或多种结合的外部应力,模拟恶劣的工作环境,使其内部的潜在缺陷加速暴露出来,然后进行电气参数测量,筛选剔除那些失效或变性元器件的过程。
7.7.2 装联准备 electronics assembling preparation
装配前先将用于组装电子产品的各种元器件、零件和各种导线进行预先加工处理的工作。也称生产准备。
7.7.3 印制电路板装联 PCB assembling
在制作有金属电路图形的印制电路板上装配和装焊电子元器件的工艺。
7.7.4 裸芯片组装 bare chip assembly
从已完工的晶圆上切下芯片后,不按传统的集成电路封装成体方式,而将芯片直接组装在电路板上的工艺。
7.7.5 表面组装技术 surface mounted technology(SMT)
无需对印制板钻插装孔,直接将表面组装元器件或部件贴焊在印制板表面规定位置上的电路装联技术,又称表面安装技术。
7.7.6 免清洗技术 no-clean for PCB assemblies
印制板在装焊过程中采用免清洗助焊剂、免清洗焊膏和免清洗焊接设备,装配后的印制板组件不需进行清洗即能达到或超过原来采用清洗工艺的清洁度水平的焊接技术。
7.7.7 印制板组件检测 test for PCB
为将印制板组件的贴(插)装、焊接故障降到最小限度,使组件达到特定标准要求的质量和可靠性等级所进行的检测。
7.7.8 整机装配 complete machine assembling
对整机进行机械装配、电气连接和装配后质量检验的过程。
7.7.9 整机老化试验 cormlete machine aging test
针对整机产品仿真出高温等恶劣环境,对其进行稳定性、可靠性老化试验的过程。
7.7.10 整机调试 complete machine debugging
按相应的技术标准或指标要求,将整机产品各项指标调试到允许范围内的过程。
7.7.11 整机生产环境 complete machine manufacture environment
整机生产活动所必需具备的空间和物质条件。
7.7.12 环境试验 environment test
将产品暴露在自然或人工环境条件下经受其作用,评价产品在实际使用、运输和贮存环境条件下的性能,并分析研究环境因素的影响程度及其作用机理的试验。
7.7.13 力学环境试验 dynamics environment test
在力学环境因素作用下,考核、评价产品的功能可靠性、结构完好性的试验。
7.7.14 气候环境试验 climate environmental test
考核、评价产品在气候环境因素作用下的性能、可靠性和安全性的试验。
7.7.15 三防处理 anticorrosive technique
对潮湿、霉菌、盐雾等环境采取的防护措施。

Ⅱ电子元器件生产工艺

7.7.16 外延 epitaxy
采取化学反应晶体生长技术,用以在决定晶向的基质衬底表面上生长一薄层与晶体有相同晶格结构的半导体材料的过程。
7.7.17 硅气相外延 silicon vapor-phase epitaxy(VPE)
利用四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)或硅烷(SiH4)等硅的气态化合物,在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生热分解还原成硅,并以单晶的形式沉积在硅衬底表面的过程。
7.7.18 分子束外延 molecular-beam epitaxy(MBE)
通过聚焦的电子束源产生的电磁场,使硅原子蒸发得到外延反应所需的硅反应原子;硅原子束离开硅源,通过排泄腔体,不碰撞并直接沉积在硅衬底表面形成外延层的过程。
7.7.19 氧化 oxidation
在硅表面上生长一层二氧化硅薄膜的技术。
7.7.20 光刻 photolithography,lithography,masking
图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
7.7.21 刻蚀 etching
把进行光刻前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分,以化学或物理作用的方式去除,以完成转移掩膜图形到薄膜上面的过程。
7.7.22 扩散 diffusion
杂质原子或分子在高温下由高浓度区向低浓度区的移动过程。
7.7.23 掺杂 doping
用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体材料中,以改变材料的电学性质的过程。
7.7.24 化学气相沉积 chemical vapor deposition(CVD)
一种或数种物质的气体以某种方式被激活后,在衬底表面发生化学反应并淀积出所需固体薄膜的生长技术。
7.7.25 溅射 sputtering
高能粒子撞击高纯度的靶材料,被撞击出的原子穿过真空,最后淀积到硅片或其他基片上的过程。
7.7.26 离子注入 ion implant
将待掺杂的物质电离,加速成能量级为100keV的高能量离子束入射到材料中,离子束与材料中的原子或分子发生一系列的物理、化学作用;入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能或获得某些新的优异性能的过程。
7.7.27 退火 anneal
将晶圆加热到一定温度,然后冷却以达到特定结果的过程。
7.7.28 金属化 metallization
应用化学或物理方法在芯片上淀积导电薄膜的过程。
7.7.29 钝化 passivation
为避免周围环境气氛和其他外界因素对器件性能产生影响而在器件表面形成保护膜的过程。
7.7.30 化学机械抛光 chemical-mechanical polish(CMP)
化学腐蚀和机械磨削同时进行的抛光技术。
7.7.31 化学机械平坦化 chemical-mechanical planarization
用化学腐蚀与机械研磨相结合的方式除去硅片顶部多余的厚度,使硅片表面平坦化的技术。
7.7.32 键合 bonding
用细金属丝将半导体器件芯片上的电极和底座外引线相连接的过程。
7.7.33 封装 packaging
为使芯片与外界环境隔绝、不受污染,且便于使用、焊接,将芯片固定在外壳上并将芯片密封的过程。
7.7.34 阵列工艺 array process
在玻璃基板上通过成膜、光刻、刻蚀等半导体工艺技术,制作有规则排列的特定薄膜晶体管(开关器件)阵列,以形成数据线、存储电容和信号线的工艺。
7.7.35 清洗 cleaning process
清除吸附在玻璃基板表面上的各种有害杂质或油污的过程。
7.7.36 干法清洗 dry cleaning
通过紫外线光清除基板表面有机污染物的清除方法。
7.7.37 等离子增强化学气相沉积 plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
通过等离子体的活性促进化学反应,使气体反应物质生成固态物质并沉积在玻璃基板表面的薄膜沉积工艺技术。
7.7.38 湿法刻蚀 wet etching process
采用液态化学药品对被蚀刻物质进行刻蚀的方法。
7.7.39 干法刻蚀 dry etching process
在气相中对基板表面、被蚀刻物质进行刻蚀的方法。
7.7.40 聚酰亚胺取向剂涂覆 polyimide direction coater process
在薄膜晶体管液晶显示器阵列玻璃基板和彩色滤光片玻璃基板上,通过旋转涂敷和印刷方式形成液晶取向层,以备下一道工序对其进行摩擦取向,达到对液晶分子进行取向目的的过程。又称PI涂覆。
7.7.41 摩擦 rubbing process
为在聚酰亚胺取向剂膜(PI膜)上形成具有一定方向的沟槽,对涂覆在两片玻璃基板上的取向剂,用摩擦辊上的绒毛对该膜进行的表面摩擦。
7.7.42 摩擦后清洗 after rubbing cleaner
对摩擦定向后产生的绒毛、取向剂膜屑等尘埃进行的清除。
7.7.43 封框胶涂复 seal material coating process
制屏贴合前用丝网印刷技术或可滴涂方式,将封框胶图形制作在一片玻璃基板上,把公共电极导电胶制作在另一片玻璃基板上,然后将两片玻璃贴合封接制成液晶盒的工艺过程。
7.7.44 贴合 panel alignment process
将上下两片玻璃基板对位压合成液晶盒的工艺过程。
7.7.45 成盒 cell process
将已制备好的薄膜晶体管液晶显示器阵列玻璃基板和彩色滤光片玻璃基板组装到一起,使两块玻璃基板之间充有液晶材料,加上适应的电场即可进行图像显示的液晶盒(屏)的工艺过程。
7.7.46 切割 cutting process
将集成在一大片玻璃基板上的多个液晶显示器件半成品面板,切割成独立的多个液晶显示面板的工艺过程。
7.7.47 液晶模组 liquid crystal module(LCM)process
将金属外框、液晶面板(屏)、挠性印制电路板、驱动集成电路芯片、印制电路板、背光源组件组装成为一个完整的显示器单元的工艺过程。
7.7.48 贴片前清洗 panel cleaning process
偏光片贴附前,对液晶面板(屏)表面进行擦拭的过程。
7.7.49 偏光片贴覆 polaroid attach
在薄膜晶体管液晶显示器液晶盒前后玻璃基板表面分别粘贴偏光片的工艺过程。
7.7.50 各向异性导电胶带贴覆 anisotropic conductive film(ACF) attach process
利用各向异性导电胶带在高温高压作用下的固化特性,把上下电极可靠连接的过程。又称ACF贴覆。
7.7.51 芯片载带封装贴装 tape carrier packaging(TCP) assembly
将液晶屏与芯片载带封装,并将芯片载带封装与印制电路板进行连接。又称TCP贴装。
7.7.52 带状元件自动邦定 tape automated bonding(TAB)
通过各向异性导电胶带粘接,带有集成电路芯片的芯片载带封装在一定温度、压力和时间下,热压面实现屏和驱动线路板连接的加工方式。
7.7.53 显示屏上贴装芯片 chip on glass(COG)
将驱动集成电路芯片直接贴装到显示屏玻璃边缘的引线上的安装方式。
7.7.54 印制电路板上贴装芯片 chip on board(COB)
芯片被邦定在印制电路板上,再与液晶显示面板外引线连接的安装方式。
7.7.55 液晶预滴入 one drop filling process(ODF)
在彩膜基板的封框胶内,用多个针筒定量大密度地滴下液晶,利用液晶的表面张力流延使显示区内充满液晶,再在真空条件下将阵列基板翻转对位、贴盒、加压、热合使其成为液晶盒的过程。
7.7.56 老化 aging process
在指定的条件下,元器件的性能随时间变化后达到基本稳定的过程。
7.7.57 丝网印制 screen printing
利用丝网镂空版和印料,经刮印得到图形的方法。简称丝印法。

Ⅲ电子材料生产工艺

7.7.58 切片 cutting
通过镶铸金刚砂磨料的刀片或钢丝的高速旋转、接触、磨削作用,将硅锭定向切割成为符合规格要求的硅片的过程。
7.7.59 冶金提纯法 metallurgical purifying method
将金属硅直接进行冶炼,通过高温熔炼和定向凝固去除杂质,得到6N以上金属硅的方法。又称物理法。
7.7.60 改良西门子法 improved siemens method
氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅,再对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行化学气相沉积反应生产高纯多晶硅的方法。
7.7.61 硅烷法 silane method
通过四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、直接氢化法等制取硅烷(SiH4),再将制得的硅烷气提纯后,在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅的方法。
7.7.62 流化床法 fluidized bed method
以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料,在流化床(沸腾床)内高温高压下生成三氯氢硅,将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅,生成硅烷气;制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内,进行连续热分解反应生成粒状多晶硅的方法。
7.7.63 熔融析出法 vapor to liquid deposition(VLD)
使用三氯氢硅为原料,在筒状反应炉进行气相反应,直接析出液体状硅的方法。

Ⅳ玻璃陶瓷制造工艺

7.7.64 配料 batching
根据已制定的玻璃配方对石英砂、长石等原材料进行称量、混合、搅拌的工艺过程。
7.7.65 气力输送 pneumatic conveying
借助气体或气体在管道内的流动,输送干燥的散状固体粒子或颗粒物料的输送方法。
7.7.66 熔化 melting
通过燃料燃烧对配合料加热使其熔融成玻璃液的过程。
7.7.67 全氧燃烧 full oxygen combustion
理论上采用纯氧气助燃的燃烧。
7.7.68 富氧燃烧 oxygen-enriched combustion
采用含氧量大于20.93%的富氧空气助燃的燃烧。
7.7.69 电助熔 electric boosting
在火焰窑的熔化池底插入若干电极并向电极供电,交流电通过电极在熔融玻璃液内产生焦耳热,以改善玻璃的熔制、澄清与对流的电辅助加热方法。
7.7.70 成型 forming
采用机械和其他方法,通过成型设备将玻璃由玻璃态物质制成具有一定形状、体积坯件的过程。
7.7.71 冷加工 cold working
玻璃成型后期的研磨、抛光等机械加工过程。
7.7.72 研磨 grinding
用研磨工具和研磨剂,从工件上研去一层极薄表面层的精加工过程。
7.7.73 抛光 polishing
用抛光材料对玻璃制品表面进行整平处理,降低粗糙度,使凹凸的表面变得平滑、精美,增加表层的光泽和外观质量的过程。
7.7.74 熔融溢流法 fusion overflow process
在熔窑末端设有特制供料道,使熔融玻璃液从供料道进入U形溢流槽,当溢流槽充满时玻璃液便从溢流槽两侧自然外溢下流,在U形溢流槽的底部汇合成一体形成玻璃带,在重力作用下继续下落,再经机械下拉辊拉引成超薄玻璃的方法。
7.7.75 浮法 floats law
熔融的玻璃液从熔窑内连续流出后,漂浮在充有保护气体的金属锡液面上,形成厚度均匀、两表面平行、平整和抛光的玻璃带,再进行退火的方法。

Ⅴ光纤光缆制造工艺

7.7.76 管外气相沉积 outside vapour deposition(OVD)
通过氢氧焰或甲烷焰中携带的四氯化硅等气态卤化物产生“粉末”,一层一层沉积获得芯玻璃的工艺。
7.7.77 轴向气相沉积 vapour axial deposition(VAD)
化学反应机理与管外气相沉积工艺相同,但由下向上垂直轴向生长预制棒的沉积工艺。
7.7.78 改进的化学气相沉积 modified chemical vapour deposition(MCVD)
以氢氧焰热源发生在高纯度石英玻璃管内进行的气相沉积工艺。
7.7.79 等离子化学气相沉积 plasma activated chemical vapour deposition(PCVD)
微波激活气体产生等离子使反应气体电离,电离的反应气体呈带电离子;带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态反应物形成透明的石英玻璃沉积薄层的工艺。
7.7.80 熔缩 collapsing
沿管子方向往返移动的石墨电阻炉将不断旋转的管子加热到2200℃,在表面张力的作用下,分段将沉积好的石英管熔缩成预制棒的过程。
7.7.81 外包层制造 overcladding
套管法、等离子喷涂法(plasma spray)、火焰水解法(flame hydrolyzing process)和溶胶-凝胶法(sol-gel)等大光纤预制棒制造技术的统称。
7.7.82 套管法 rod in tube(RID)
将气相沉积工艺制成的芯棒置入一根作光纤外包层的高纯石英玻璃管内制造大预制棒的技术。
7.7.83 等离子喷涂法 plasma spray
用高频等离子焰将石英粉末熔制于气相沉积工艺得到的芯棒上制成大预制棒的技术。
7.7.84 溶胶-凝胶法 sol-gel
采用溶胶-凝胶工艺制成合成石英管作为套管,再用套管法制成大预制棒的方法;或采用溶胶-凝胶工艺制成合成石英粉末,再用高频等离子焰将合成石英粉末熔制于芯棒上制成大预制棒的方法。
7.7.85 火焰水解法 flame hydrolyzing process
将管外气相沉积、轴向气相沉积等火焰水解外沉积工艺在芯棒上进行应用的方法。
7.7.86 拉丝 drawing
将采用气相沉积法和外包层技术结合制成的大光纤预制棒直径缩小,且保持芯包比和折射率分布恒定的操作过程。
7.7.87 成缆 core stranding
将若干绝缘线芯或光单元组合按一定规则绞合的工艺过程。
7.7.88 光纤着色 coloring optical fiber
为在光纤接续、成端、使用时能识别其纤序,光纤成缆前在一次涂覆光纤上着色的过程。
7.7.89 光纤并带 fiber ribbon
光纤以全色谱或领示色谱排列,用丙烯酸树脂固化集封成薄带的工艺。
7.7.90 光纤二次被覆 secondary coating
选用高分子材料聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),在合理的工艺条件下,采用挤塑方法给光纤套上与光纤长度相等的松套管,同时在松套管中注入触变型纤膏的过程。
7.7.91 松套光纤“SZ”绞合成缆 stranded loose tube cabling
将套管和填充绳以“SZ”形式绞合在中心加强件上,再经扎纱、涂覆油膏、包带后成为缆芯的方法。
7.7.92 中心束管钢丝绞合成缆 steel wire central tube stranded cabling
将松套束管置于光缆中心,管外绞合一层磷化钢丝,钢丝间填充阻水缆膏并绕包阻水带,合纵包双面涂塑钢带,最后抽真空再挤套中密度聚乙烯护套的成缆方法。

Ⅵ电子相关工艺设计

7.7.93 工艺设计 process design
对产品生产的方式、方法进行设计和规划的过程。
7.7.94 工艺条件 process requirements
因生产工艺及其设备需要,对土建、机电等有关专业提出的设计要求。
7.7.95 工厂布置 facility layout
在整个工厂层面上对生产场所、生产活动、人员及设备作出的空间安排。
7.7.96 港湾式布置法 bay-chase type layout
把工艺联系紧密的一组设备相向布置在一条通道两侧,形成一个生产单元(bay),然后将多个生产单元分别排布在一条中央通道的两侧,使每个单元内的通道沿中央通道的垂向布置,从而形成完整的生产线的工艺布置方法。
7.7.97 小岛布置法 island layout
按生产单元划分功能区,功能区在生产厂房中形似一个个岛屿的布置方法。又称单元布置法。
7.7.98 物料闸间 lock for material
设置在不同空气净化要求的区域之间,用于物料进出时隔断两区域之间的空气流动并可用于物料表面清洁的区域。
7.7.99 成组技术 group technology
通过鉴别零件(加工工件)相似性,根据预定的规则将具有一定相似程度的零件形成零件组,从而使多品种、小批量的零件生产获得批量生产优势的技术。
7.7.100 单元化制造 cellular manufacturing
根据功能和设备内在关系划分的生产和加工单元组成的生产系统。
7.7.101 及时制生产 just-in-time(JIT)
在需要时,按需要的量生产所需产品的生产方式。
7.7.102 计算机集成制造系统 computer integrated manufacturing system(CIMS)
所有的活动都集成为基于计算机的计划、管理和控制的一种制造技术系统。
7.7.103 柔性制造系统 flexible manufacturing system(FMS)
由数控的制造装置与传送机构组成的系统,可适应制造任务中的各种变化。

条文说明

7.7 工艺技术与工艺设计

Ⅰ整机生产工艺

7.7.5 表面组装技术
该技术是现阶段实现电子产品微电子化和小型化生产的重要手段,已成为板级电路组装技术的主流。PCB表面组装(SMT)的主要设备有丝网印刷机、点胶机、高速贴片机、多功能贴片机、回流焊接机(再流焊接机)、自动光学检测设备(AOI)、上板机、下板机、翻板机、连接轨道等。
7.7.6 免清洗技术
采用低固态成分的免洗焊剂和有惰性气体保护的免洗焊接设备完成免清洗焊接,实现印制板焊后的免清洗。
7.7.8 整机装配
整机的结构从外形上可分为柜式、箱式、台式和盒式(袖珍)四类。
7.7.9 整机老化试验
是提高电子产品稳定性和可靠性的重要试验。在老化过程中和老化结束时均需即时测量产品的电性能参数,剔除有故障的机器。老化中出现故障的机器经修复后需重复前面的老化试验过程。
7.7.11 整机生产环境
不同的整机产品、不同的生产工艺,需要有不同的生产环境条件。影响环境的主要因素有杂质、有害气体、温湿度、电磁干扰、静电、振动、噪声等。
7.7.12 环境试验
包括力学环境试验和气候环境试验。环境对暴露于环境中的电子产品的主要影响有腐蚀、开裂、脆化、吸潮、氧化等。这些影响可能导致产品的物理性能或化学性能的改变,从而影响产品质量。
7.7.13 力学环境试验
力学环境因素(或称机械因素)包括振动、冲击、碰撞、跌落、摇摆、恒加速度、爆炸、地震、噪声振动等。力学环境试验的主要设备有电动振动台、机械振动台、液压振动台、冲击试验台、碰撞试验台、冲击碰撞试验台、跌落试验台、模拟汽车运输台、摇摆试验台、转盘式离心机、转臂式离心机等。
7.7.14 气候环境试验
温度、湿度、压力、日光辐射、沙尘、雪等均属于气候环境因素。气候环境试验的主要设备有高温恒温试验箱、高低温试验箱、高低温湿热试验箱、高低温冲击试验箱、步入式高低温试验室、步入式高低温湿热试验室、步入式温度冲击试验室、温度/湿度/振动综合环境试验设备、盐雾试验箱、霉菌试验箱等。

Ⅱ电子元器件生产工艺

7.7.16 外延
根据衬底的选择可以分为同质外延和异质外延。根据制备方法可以分为气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、金属有机化合物化学气相外延(MOCVD)和分子束外延(MBE)四类。
7.7.19 氧化
是在硅表面生长一层二氧化硅薄膜的技术,是硅平面工艺中很重要的工艺。氧化方法很多,如高温氧化、化学气相沉积、阳极氧化等。
7.7.20 光刻
分为正性光刻和负性光刻两种基本类型。本质是把临时的电路结构复制到硅片或其他基片上。要复制的电路结构首先以图形形式制作在掩膜版上,紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上,显影后图形出现在硅片上,然后用刻蚀工艺把薄膜图形成像在硅片上。
7.7.21 刻蚀
分为干法刻蚀和湿法刻蚀。
7.7.22 扩散
半导体制造过程中常用的步骤,用以控制杂质的浓度、均匀性和重复性。
7.7.23 掺杂
有扩散和离子注入两种工艺方法。由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类。
7.7.25 溅射
物理气相淀积方法之一。
7.7.26 离子注入
一种材料表面改性高新技术。
7.7.27 退火
玻璃退火是一个创建匀热和结构调整所需的均匀温度场,减小各部分之间的结构差,使冷致刚体被固定的、不可逆转的结构差所致的永久应力减至制品的规定值;在此后的冷却中,控制可逆转的结构差所致的、随温度均一而消失的暂时应力,防止玻璃炸裂的热处理过程。
7.7.28 金属化
可以通过蒸发、溅射、金属化学气相沉积、电镀等工艺完成。
7.7.30 化学机械抛光
分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。由IBM公司于1980年代中期开发。根据不同要求,可分一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光(粗抛光、中间抛光和精抛光)。为满足超大规模集成电路对表面质量和平整度的要求,已出现无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。
7.7.31 化学机械平坦化
一种表面全局平坦化技术。
7.7.33 封装
目前形式有陶瓷封装、塑料封装、金属封装等。
7.7.35 清洗
常采用化学清洗和物理清洗。化学清洗是利用化学试剂与吸附在玻璃基板表面上的杂质及油污发生化学反应及溶解作用,去除有害杂质或油污。物理清洗一般有擦洗、高压喷淋、超声波清洗等。
7.7.37 等离子增强化学气相沉积
是半导体制造工艺中常用的薄膜制备方法之一。利用等离子增强化学气相沉积工艺可制备多种薄膜,如多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅薄膜等。
7.7.38 湿法刻蚀
采用液态化学药品对被蚀刻物质进行刻蚀的方法。具有各向同性刻蚀性能,工艺设备价格低廉,成本低。但要消耗大量化学品,不利于环境保护。
7.7.39 干法刻蚀
在气相中对基板表面、被蚀刻物质进行刻蚀的方法。其中应用等离子体刻蚀的较多。干法刻蚀具有各向异性刻蚀性能,刻蚀精度高,设备较昂贵。
7.7.40 聚酰亚胺取向剂涂覆
该过程包括涂覆前清洗、PI涂覆及预固化及固化等,PI涂敷完成后还需进行检查。
7.7.41 摩擦
摩擦方向按产品的用途或视角方向来决定。一般上下基板摩擦方向不一致,两者之间的角度接近90°。
7.7.42 摩擦后清洗
多采用超声清洗结合纯水喷淋相结合的方法,以免影响摩擦定向得到的沟槽。
7.7.44 贴合
该工艺的操作过程如下:机器压合通过对位标记自动移动平台,使上下玻璃基板的标记中心重合,然后施加一定大小的气压,使两片玻璃形成中间有一定空隙的液晶盒。
7.7.46 切割
该工艺主要包括划屏、裂片和倒角。
7.7.48 贴片前清洗
进行贴片前清洗时,先用橡胶刮板进行刮擦表面,然后用酒精或乙醇擦拭干净。
7.7.50 各向异性导电胶带贴覆
各向异性导电胶带兼有粘接、导通、绝缘功能,是一种上下导通、左右不通的连接材料。
7.7.51 芯片载带封装贴装
液晶屏与芯片带载封装(TCP)的连接采用各向异性导电胶带(ACF),芯片带载封装与印制电路板的连接一般可采用锡焊。
7.7.56 老化
在平板显示器件制造工艺过程中,为防止有缺陷的半成品流入下一道工序,根据一定的规范设立质量控制点,对半成品进行通电或加温进行“老化”以考验其可靠性。

Ⅳ玻璃陶瓷制造工艺

7.7.65 气力输送
分为密相输送和稀相输送两种形式。
7.7.66 熔化
把按料方混合好的配合料投入到窖炉中,根据已经确定好的温度曲线对配合料进行加热,使配合料熔化成均匀、纯净、透明、具有一定黏度的玻璃液的过程。
7.7.67 全氧燃烧
实际生产中把采用纯度大于或等于85%的氧气助燃的燃烧系统也称为全氧燃烧。
7.7.68 富氧燃烧
普通空气中含20.93%的氧、78.1%的氮及少量惰性气体等。一般来讲,含氧量大于20.93%的空气叫做富氧空气。
7.7.70 成型
由玻璃熔体制成各种形状制品或半制品的过程。根据要求不同,可用采不同的成型方法,主要有浮法、垂直引上法、压制法、拉制法、吹制法、压吹法、延压法、离心法、绕制法、模铸法等。
7.7.74 熔融溢流法
一般可拉制出0.5mm~1mm厚的超薄玻璃,不足之处是产量低,板宽窄,因受溢流槽的尺寸所限,板宽通常不足浮法玻璃板宽的一半。但该工艺方法的最大优点是适用于多种玻璃组分。
熔融溢流技术可以产出具有双原始玻璃表面的超薄玻璃基材,并有良好的表面质量。相较于浮法(仅能产出单原始玻璃表面)及流孔下拉法(无法产出原始玻璃表面),可免除研磨或抛光等后加工制程。

Ⅴ光纤光缆制造工艺

7.7.76 管外气相沉积
1970年由美国康宁公司Kapron研发的简捷工艺,反应机理为火焰水解。
7.7.77 轴向气相沉积
1977年由日本电报电话公司的伊泽立男等人,为避免与康宁公司的管外气相沉积专利纠纷所发明的连续工艺,属于火焰水解反应机理。
7.7.78 改进的化学气相沉积
1974年由美国AT&T公司贝尔实验室的Machesney等人开发的经典工艺。
7.7.79 等离子化学气相沉积
1975年由荷兰飞利浦公司的Koenings提出的微波工艺。
7.7.80 熔缩
沉积工序的下一步,把沉积管熔缩成实心棒。
7.7.81 外包层制造
等离子喷涂法是由美国阿尔卡特公司发明的。SOOT法泛指管外气相沉积和轴向气相沉积等火焰水解外沉积工艺。溶胶-凝胶法是由美国朗讯科技公司发明的。
7.7.86 拉丝
在拉丝过程中,光纤套棒被安装在拉丝塔的顶部,下端缓缓置入约2100℃高温的炉火中,此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125μm),并进行在线双层涂覆和紫外固化。7.7.87 成缆
包括绞合时线芯间空隙的填充和在成缆上的包带过程。
7.7.88 光纤着色
着色层的厚度约为3μm。一次涂覆光纤的固化着色工艺有热固化和光固化两种。
7.7.89 光纤并带。
由白(W)、红(R)、黑(B)、黄(Y)、紫(V)作为领示色,代表a线;由蓝(B1)、桔(O)、绿(G)、棕(Br)、灰(S)作为循环色,代表b线,十种颜色组成25对全色谱线对。
7.7.91 松套光纤“SZ”绞合成缆
SZ成缆可进一步地加强光纤的拉力强度、抗侧压能力,并具有阻隔潮气的功能,在此过程中需通过调整绞合节距来控制光纤的余长。

Ⅵ电子相关工艺设计

7.7.93 工艺设计
电子工程工艺设计的内容包括:主要工艺和搬运设备配置、工艺设备平面布置和竖向布置、生产组织设计、生产设施空间需求确定、动力供应需求确定等。
7.7.96 港湾式布置法
采用港湾式布置法时,在中央通道同侧相邻生产单元之间的设备背部区域,可以布置工艺设备的附属等,并以隔板与工艺设备前区相分割,从而形成所谓的“灰区”(chase)。港湾式布置法是在集成电路前工序工厂中常用的一种布置方式。
7.7.97 小岛布置法
一种典型的设备布置形式,一个生产单元可以独立完成一定加工功能。
7.7.99 成组技术
原理可应用于产品设计、工艺规划、设备布置、生产计划等多个方面。
7.7.100 单元化制造
离散型加工制造中常用的生产组织方式。
7.7.101 及时制生产
JIT是最早由日本丰田公司提出的一种生产组织方式,即通过“拉动式”的生产计划和控制及库存的管理,追求一种无库存,或库存达到最小的生产系统,以实现消除库存,优化生产物流,减少浪费的目的。
7.7.103 柔性制造系统
无人化自动工厂的主要组成部分。柔性生产即通过系统结构、人员组织、运作方式和市场营销等方面的改革,使生产系统能对市场需求变化做出快速的适应,同时消除冗余无用的损耗,力求企业获得更大效益的生产方法。

8 相关工程


8.1 建筑及结构


8.1.1 华夫板 waffle slab
用于垂直单向流洁净室工艺生产层的楼板。
8.1.2 抗振墙 vibration resistance wall
为减小建筑结构对环境振动的振动响应,满足精密设备、仪器的正常工作要求,在结构中设置的混凝土墙体。又称防振墙、防微振墙。
8.1.3 结构地坪 structural ground floor
以板、梁、基础等结构构件将底层地面荷载传至地基的结构系统。
8.1.4 隔振缝 vibration isolation joint
为隔离环境振动对布置有精密设备、仪器区域的有害影响而在结构中预先设置的间隙。
8.1.5 场地微振动 ground micro-vibration
地面的一种稳定的非重复性的随机波动。
8.1.6 专用消防口 fire-firing access
消防人员为灭火而进入建筑物的专用入口。

条文说明

8.1 建筑及结构
8.1.1 华夫板
板上按洁净设计气流组织要求的百分率以规定的间隔开孔,孔以矩阵方式排列。
8.1.5 场地微振动
主要是由人工活动、气象、江湖、海洋、地下构造活动等诸因素引起的地球表面某地固有的微振动,其振幅值位移为微米级,加速度为1×10-4m/s2~1×10-6m/s2
8.1.6 专用消防口
平时封闭,使用时从室外打开。

8.2 电气技术


8.2.1 黄光区 yellow light area
用于光学显影,且采用偏黄色可见光照明的区域。
8.2.2 洁净灯 clean room lamp
在洁净房间内,为了减少对气流的方向性和流速稳定性影响,同时也为减少灰尘聚集而专门设计的照明灯具。
8.2.3 不间断电源系统 uninterruptible power system(UPS)
在电源发生故障时,能为计算机或其他设备继续提供电源的不间断供电系统。
8.2.4 滤波器 wave filter
减少或消除谐波对电力系统影响的电气部件。
8.2.5 空气采样式烟雾火灾探测系统 air sampling smoke detector fire alarm system
通过管道抽取被保护空间的空气样本到中心检测室,以探测和监视被保护空间内是否存在烟雾的火灾探测器。
8.2.6 精密空调 precision air conditioning
结合微处理控制系统可对环境温度、湿度、空气洁净度和空气分布进行综合控制,达到高工作精度和可靠性的专用空调设备系统。
8.2.7 电信系统 telecom system
以电信号作为传递和交换信息的通信手段,由完成各种电信业务的软硬件系统所构成的通信系统。
8.2.8 会议电视系统 video conference system
为与会者提供包括语言、文本和图形等静止或运动图像传输的远程会议系统。
8.2.9 数字无绳电话系统 digital cordless telephone
依附于数字通信网络的无绳通信系统。
8.2.10 音响广播系统 sound broadcasting system
在建筑物(群)内自成体系,综合应用电子学、电声学和建筑声学技术改善和美化音质收听效果,并可具有更大传播范围的广播系统。
8.2.11 火灾报警系统 fire alarm system(FAS)
可对火灾进行早期报警,同时具有对消防设备进行控制、引导人员疏散、传递灭火活动信息等功能的系统。
8.2.12 出入口控制系统 access control system(ACS)
利用自定义符识别或/和模式的识别技术,对出入口目标进行识别,并控制出入口执行机构启闭的电子系统或网络。又称门禁系统。
8.2.13 电子巡查系统 electronic patrol system
通过移动自动识别技术,将巡逻人员在设定程序路径上的巡更巡检工作中的时间、地点及情况自动准确记录,同时保障巡逻人员安全的系统。
8.2.14 内部对讲系统 interphone system
用于安保部门流动或固定的值守部位之间及与安保中心管理室之间互为联络或进行对讲通信联络的系统。
8.2.15 访客和报警系统 conversational system
安装在现代住宅、商住楼及需要安防的场所入口,配合高级防盗门,为住户、业主提供选呼(可视)对讲、遥控开锁及紧急报警等服务的电子装置。
8.2.16 停车管理系统 parking management system
停车场的车辆收费及设备自动化管理系统。
8.2.17 建筑设备监控系统 building automation system(BAS)
通过对建筑物或建筑群内的各种电力设备、空调设备、冷热源设备、防火、防盗设备等进行集中监控,在确保建筑内环境舒适、充分考虑节约和环境保护的条件下,使建筑内的各种设备状态及利用率均达到最佳的中央监控系统。
8.2.18 直接数字控制系统 direct digit control(DDC)system
通过计算机对被控参数进行检测,根据设定值和控制算法进行运算,然后输出到执行机构使被控参数稳定在给定值上,用于监视和控制系统中有关机电设备的控制系统。又称DDC系统。
8.2.19 综合布线系统 premises distributed system(PDS)
能使建筑物或建筑群内部的语音、数据通信设备、信息交换设备、物业管理及自动化管理设备等系统彼此相连,又能使建筑物内信息通信设备与外部的信息通信网络相连的建筑物或建筑群内部信息通信、设备传输信号的物理链路。
8.2.20 环境监控系统 environmental monitoring system
实现远程监控机房等空间区域的温度、湿度、门禁、水浸、烟感、空调、油机等环境参数的系统。
8.2.21 KVM集中操控系统 KVM centralized operating system
能实现用一套键盘(keyboard)、显示器(video)、鼠标(mouse)、控制多台电脑设备的系统。

条文说明

8.2 电气技术
8.2.1 黄光区
光学显影是在光阻上经过曝光和显影程序,把光罩上的图形转换到光阻下面薄膜层或矽晶上的过程。由于光学上的需要,此过程的照明采用偏黄色可见光,采用此种光的区域俗称黄光区。
8.2.3 不间断电源系统
一种含有储能装置(常见的是蓄电池),连接在计算机等设备和市电之间,可防止电源的中断、电压变低、浪涌、尖峰、干扰等现象,使计算机等设备运行更加安全可靠的设备。当市电输入正常时,UPS将市电稳压后供应给终端设备(负载)使用,此时的UPS就是一台交流市电稳压器,同时它还向自己的内置电池充电;当市电中断(如停电)时,UPS立即将内置电池的电能通过逆变转换的方法向负载继续供应所需交流电,使负载维持正常工作并保护负载的软、硬件系统不受损。
8.2.5 空气采样式烟雾火灾探测系统
也称为吸气式烟雾探测器。是一种基于光学空气监控技术和微处理控制技术的烟雾探测装置,能够通过测试空气样本,了解烟雾的浓度,并根据预先确定的阈值给出相应的报警信号。
8.2.6 精密空调
制冷形式同普通空调。
8.2.7 电信系统
包括信源、信宿、变换器、反变换器和通道等。
8.2.9 数字无绳电话系统
无绳通信系统一般可以依附于公共电话网、蜂窝移动通信网或数据通信网。
8.2.10 音响广播系统
通常包括公共区域背景广播、客房广播、会议室音响、会议厅、多功能厅音响系统等。
8.2.16 停车管理系统
将机械、电子计算机和自控设备、通信技术及磁记录技术等有机结合起来,通过电脑管理,实现车辆出入管理、自动存储数据、合理配置停车资源等功能。
8.2.18 直接数字控制系统。在该系统中,利用计算机的分时处理功能直接对多个控制回路实现多种形式的多功能数字系统控制,且计算机的输出直接作用于控制对象。


8.3 公用工程


8.3.1 工艺用水process water
直接用于电子工程工艺生产过程的冷却水、清洗用水等的总称。
8.3.2 去离子水 deionized water
经过阴、阳离子交换柱后,阴、阳离子杂质均已除去的水。
8.3.3 纯水 pure water
根据生产需要的水质,去除生产不需保留的各种离子以及其他杂质的水。
8.3.4 高纯水 high-purity water
水的温度为25℃时,电导率小于0.1μs/cm,pH值为6.8~7.0,并已去除其他杂质和细菌的水。又称超纯水。
8.3.5 离子交换法 ion exchange
采用离子交换剂去除水中某些盐类离子的方法。
8.3.6 后处理系统 post-treatment system
由起滤、精密过滤、紫外线杀菌及反渗透器等装置组成,联接在除盐系统后面的精处理系统。
8.3.7 再生 regeneration
使离子交换剂、后骼再生剂恢复到原型态交换能力的工艺过程。
8.3.8 酸洗 acid cleaning
采用酸去除设备或离子交换剂上不溶于水的沉积物的过程。
8.3.9 超滤器 ultrafilter(UF)
孔径小于21nm、用于去除水中微粒杂质的过滤装置。
8.3.10 电渗析器 electrodialyzer
利用离子交换膜和直流电场,使水中电解质的离子产生选择性迁移,从而达到使水淡化的装置。
8.3.11 反渗透器 reverse osmosis unit(RO)
利用外加压力,使浓溶液中的水克服有机纤维素半透膜的渗透压而渗透到淡水侧,使水除盐、淡化的装置。
8.3.12 常用气体 bulk gas
电子工业中使用的氮气、氢气、氧气、氩气、氦气等的系统。又称大宗气体。
8.3.13 特种气体 special gas
电子工厂的掺杂、外延、离子注入、蚀刻等生产工艺中使用的自燃性、可燃性、毒性、腐蚀性、氧化性、惰性等特殊气体。
8.3.14 高纯气体 high purity gas
采用提纯技术达到规定等级纯度的气体。
8.3.15 外延气体 epitaxial gas
采用化学气相淀积方法生长外延层所用的载气。
8.3.16 蚀刻气体 etching gas
干法蚀刻所用的气体。
8.3.17 掺杂气体 dopant gas
掺杂工艺所用的气体。
8.3.18 气体净化 gas purification
对生产中所需的氢气、氧气、氮气、压缩空气等进行脱除其他气体、水分、油分及尘粒等各种杂质的过程。

条文说明

8.3 公用工程
8.3.3 纯水
电解质杂质含量常以电阻率表征,非电解质杂质含量指微粒、有机物、细菌和溶解气体等。
8.3.7 再生
后骼再生剂是一种水处理剂。
8.3.13 特种气体
具有可燃、有毒、腐蚀或窒息等特性。
8.3.14 高纯气体
通常指纯度等于或高于99.99%~99.9999%、有害杂质总含量小于或等于1/100000的气体。对于不同类别的气体,气体纯度指标不同。
8.3.16 蚀刻气体
通常多为氟化物气体。
8.3.17 掺杂气体
包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。


8.4 节能环保


8.4.1 清洁生产 cleaner production
采取改进设计,使用清洁的能源和原料,采用先进的工艺技术与设备,改善管理,综合利用等措施,从源头上削减污染,提高资源利用率,减少或者避免生产、服务和产品使用过程中污染物的产生和排放,以减轻或者消除对人类健康和环境的危害的生产方式。
8.4.2 非消耗臭氧层物质 non-ozone depleting substances
不含氯氟烃类的电子清洗材料。又称非ODS。
8.4.3 无铅焊接 lead-free soldering
不使用含铅合金焊料的焊接技术。
8.4.4 水的重复利用率 water reuse rate
工业企业生活及生产用水中,循环利用的水量和直接经过处理后回收再利用的水量之和与总生产用水量的比值。
8.4.5 综合能耗 comprehensive energy consumption
在统计报告期内,电子工程中主要生产系统、辅助生产系统等实际消耗的各种能源实物量,按规定的计算方法和单位折算后的总和。
8.4.6 体形系数 shape coefficient
建筑物与室外环境接触的外表面积与其所包围的体积的比值。
8.4.7 窗墙面积比 area ratio of window to wall
建筑物某朝向外墙的窗门洞口面积与含窗门洞口面积的该外墙面积的比值。
8.4.8 电子玻璃废水 electronic glass waste water
电子玻璃生产过程中排放的废水。
8.4.9 研磨废水 grinding waste water
研磨、抛光等工艺生产过程中排出的含有固体颗粒物或悬浮物的废水。
8.4.10 含铬废水 Cr- containing waste water
生产工艺过程中排放的含三价铬、六价铬的废水。
8.4.11 含氟废水 F- containing waste water
生产工艺过程中排放的含氟离子及其化合物的废水。
8.4.12 有机废水 organic waste water
生产工艺过程中排放的含有有机物质的废水。
8.4.13 酸碱废水 acidic&alkaline waste water
生产工艺过程中排放的呈酸性或碱性的废水。
8.4.14 含砷废水 As- containing waste water
生产工艺过程中排放的含有砷及其化合物的废水。
8.4.15 回用水 reclaimed water
各种排水经处理后达到规定的水质标准,用于产品生产、生活、环境等范围内的非饮用水。
8.4.16 挥发性有机物 volatile organic compounds(VOC)
温度为293.15K时,蒸汽压大于或等于0.01kPa,或能以气态分子的形态排放到空气中的不包括甲烷的有机化合物。
8.4.17 挥发性有机废气 volatile organic compounds exhaust
生产工艺过程中排放的含有挥发性有机物的废气。
8.4.18 苯类废气 benzene generic exhaust
生产工艺过程中排放的含有苯、甲苯、二甲苯等多种单环芳烃污染物的废气。
8.4.19 有毒废气 venomous exhaust
生产工艺过程中排放的对人体产生危害,能致人神经性麻痹、呼吸系统麻痹、肌肉麻痹的废气。
8.4.20 铅烟 lead breathing
在电子产品插件板安装的波峰焊或回流焊焊接过程中,使用含铅焊料工艺散发的污染空气的含铅烟气。
8.4.21 源头处理 point of use treatment
在排放有毒有害物质的工艺设备附近设置废气处理设备,对有毒有害物质就地进行的处理。

条文说明

8.4 节能环保
8.4.2 非消耗臭氧层物质
非ODS有机溶剂清洗剂不破坏臭氧层,是ODS及过渡性替代ODS清洗剂的理想替代品。英文简称“non-ODS”。
8.4.8 电子玻璃废水
包括研磨废水、碎玻璃冲洗水以及场地冲洗水。

8.5 与电子工程建设相关的工程服务


8.5.1 洁净室施工环境温度 clean room construction ambient temperature
洁净室各种施工材料和设备管线施工安装所要求的施工环境温度。
8.5.2 洁净室施工管理制度 clean room construction management system
满足洁净室施工质量对施工全过程、各方面特殊要求的管理制度。
8.5.3 洁净室成品保护管理制度 clean room end product protection control system
对洁净室的成品进行有效保护的管理制度。
8.5.4 洁净室建筑装饰 clean room construction decoration
对洁净室吊顶、墙板和地板(含回风地板)、传递窗、风淋室等系统以及洁净室空间建筑面层的施工。
8.5.5 金属壁板 metal stave sheet
在两层金属钢板之间填充一定厚度保温绝热材料组合而成的壁板。
8.5.6 金属壁板二次设计 metal stave sheet design
洁净室金属壁板施工前,由施工安装单位在对洁净室进行实地测量后,根据建筑施工图所绘制的吊顶和墙板的安装图纸。
8.5.7 净化空调系统 purification air-conditioning system
保证洁净室洁净度、室内温度和湿度等各种要求的空调系统。
8.5.8 净化空调系统测试 purification air-conditioning system testing
对净化空调系统的各项洁净指标进行的检测。
8.5.9 洁净室空吹 clean room air blowing
洁净室所有公用动力设施和管线完成单机试车后,在安装高效过滤器和工艺设备前对净化空调设备和风管开机送风,吹去空调设备和风管内的浮尘后,安装高效过滤器并进行系统调试和测试工作的过程。
8.5.10 空气过滤器 air strainer
为除去空气中的悬浮粒子和微生物,保证送入洁净室的空气洁净度,在送风系统中所安装的各种空气过滤装置或配件。
8.5.11 高效过滤器密封 highly efleetive filter sealing
为防止固体微粒从相邻结合面侵入洁净室空气系统而采用高效过滤器进行密封的方式。
8.5.12 液槽密封 fluid bath seal
在高效过滤器与其周边框架之间采用液体进行密封的方式。
8.5.13 化学过滤器 chemical filter
为除去空气中的化学污染物和分子级污染物,满足工艺生产的微细化、精密化和高纯要求,在洁净室送风系统中专门设置的过滤装置。
8.5.14 洁净室设备二次配管 clean room equipment piping
连接洁净室工艺生产设备和各种资源之间的管道。
8.5.15 高纯水配管 high-purity water piping
洁净室中输送高纯水的管道。
8.5.16 高纯气体配管 high-purity gas piping
洁净室中输送高纯气体的管道。
8.5.17 化学品管道 pipeline for chemicals
洁净室中输送生产过程所需各种化学品的管道。
8.5.18 隔振支架 vibration isolation support
安装于隔振器上并能消耗设备振动能量的设备支架。
8.5.19 管道系统清洗 piping system cleaning
采用水冲洗、化学清洗或其他方法清除管道系统内部的污垢、锈蚀和杂物的作业。
8.5.20 管道系统严密性作业检验 piping system hermeticness examination
对管道系统内的试验介质施加高于工作压力的规定压力,在保持压力的时间内进行防漏性能的检验。
8.5.21 管道吹扫pipeline blowing
采用气体或干燥压缩空气对管道进行的清洁工作。
8.5.22 管道纯度测试 pipeline purity test
对管道内部的露点、尘埃和油分含量等进行的测试。
8.5.23 含水量(露点)测试 water content(dew point)test
按相关的标准和方法,对气体中的微粒水分进行的测试。
8.5.24 微粒浓度测试 particle density test
按相关的标准和方法,对高纯气体、高洁净气体中的微粒含量(粒径、浓度等)进行的测试。
8.5.25 洁净室检测项目 clean room examination items
需要测定的满足洁净室正常运转的各项性能参数。
8.5.26 综合性能评定 overall performance evaluation
由建设单位委托具备资格的第三方对洁净室各方面性能进行评定的活动。
8.5.27 洁净室认证 clean room authentication
具备相应资格的机构,通过对洁净室的综合性能进行检测和认证,判定其是否达到合格的综合性能参数的过程。
8.5.28 配送中心型仓库 distribution center warehouse
具有集货、加工、分货、拣选、配货等货物配备功能,组织对用户送货,实现销售或供应的现代流通设施。又称流通中心型仓库。
8.5.29 自动化仓库系统 automated storage and retrieval system(AS/RS)
能自动存储和取出物料的系统。
8.5.30 信息管理 information document management
在信息传输中,对信息或数据的收集、加工整理、储存、传递与应用等一系列工作进行的合理组织和控制的总称。
8.5.31 软件园 software park
积聚众多软件企业及相关服务机构,以软件研发与生产为主要活动的园区。
8.5.32 商务流程外包服务 business process outsourcing(BPO) services
企业将一些重复性的业务流程外包给供应商,以降低成本,同时提高服务质量的业务模式。
8.5.33 软件园孵化器 software park innovation centre
软件园为软件企业设立的创业服务中心。

条文说明

8.5 与电子工程建设相关的工程服务
8.5.2 洁净室施工管理制度
包括施工人员出入、换鞋、物品携带、施工机械工具和配合协调等内容。
8.5.3 洁净室成品保护管理制度
包括人员出入登记、更衣换鞋、物品携带、工作配合协调等内容。
8.5.5 金属壁板
用于洁净室吊顶和墙板的安装。
8.5.6 金属壁板二次设计
主要包括排版设计、预留管道、风口、灯具和插座等节点构造等内容。
8.5.25 洁净室检测项目
包括空气洁净度等级、室内正压值、静压差、风速或风量,通风机风量和转数,高效过滤器的泄漏,温度和湿度,气流流型,自净时间,照度,防静电性能,噪声,微振,高纯水和高纯气体配管的试压、泄漏量和污染情况等指标。
8.5.32 商务流程外包服务
包括人力资源、采购、财会、客户中心、后勤、研发、营销、工厂运作、培训等服务内容。
8.5.33 软件园孵化器
孵化器的功能是通过为新创办的中小科技企业提供物理空间和基础设施,提供一系列的服务支持,降低创业的风险和成本,提高企业的成功率和成活率,促进科技成果转化,帮助和支持科技企业成长与发展,培养成功的企业和企业家。


索引


中文索引


B

BiCMOS集成电路 4.1.5
白噪声 7.5.27
半导体材料 5.1.1
半导体光电子器件 4.1.9
半导体整流器 4.1.6
半消声室 7.5.6
薄膜晶体管液晶显示器 4.2.6
薄膜太阳能电池 4.7.5
北斗卫星导航系统 3.3.9
背光单元 4.2.21
背景噪声 7.5.24
倍频程带宽 7.5.29
被动隔振 7.4.15
苯类废气 8.4.18
变像管 4.3.13
表面电阻 7.3.11
表面电阻率 7.3.13
表面贴装设备 6.0.11
表面组装技术 7.7.5
表面组装元器件 4.4.8
波峰焊机 6.0.10
玻壳 5.2.3
玻璃基板 4.2.15
玻璃绝缘子 5.2.6
玻璃窑炉 5.2.7
不间断电源系统 8.2.3

C

CMOS集成电路 4.1.4
彩色滤色片 4.2.16
彩色显像管 4.3.6
拆解 7.6.3
拆余物 7.6.24
掺杂 7.7.23
掺杂气体 8.3.17
产品可再生利用标识 7.6.15
产品生态设计 7.6.31
常用气体 8.3.12
场地微振动 8.1.5
场地振动衰减 7.4.26
场致发射显示器 4.2.9
超导材料 5.4.15
超高效空气过滤器 7.1.27
超滤器 8.3.9
超扭曲向列相液晶显示器 4.2.5
超微粒子 7.1.7
潮湿箱 6.0.26
成盒 7.7.45
成缆 7.7.87
成型 7.7.70
成组技术 7.7.99
城域网 3.6.5
冲击试验台 6.0.22
出入口控制系统 8.2.12
处理 7.6.4
处置 7.6.5
触摸屏 4.2.13
传递窗 7.1.23
窗墙面积比 8.4.7
纯水 8.3.3
磁性材料 5.4.2
存储器 3.1.6

D

带状光缆 5.3.7
带状元件自动邦定 7.7.52
单晶材料 5.1.3
单晶炉 6.0.8
单模光纤 5.3.3
单向流 7.1.17
单元化制造 7.7.100
导航 3.3.2
导航系统 3.3.3
导静电型材料 7.3.26
等离子化学气相沉积 7.7.79
等离子喷涂法 7.7.83
等离子体显示器 4.2.7
等离子增强化学气相沉积 7.7.37
等离子增强化学气相沉积设备 6.0.12
等效吸声面积 7.5.13
低气压试验箱 6.0.27
地基刚度 7.4.11
电磁波暗室 7.2.3
电磁辐射 7.2.2
电磁干扰 7.2.6
电磁环境 7.2.1
电磁兼容性 7.2.5
电磁敏感性 7.2.7
电磁屏蔽 7.2.8
电磁屏蔽室 7.2.9
电感器 4.4.5
电容器 4.4.4
电渗析器 8.3.10
电视差转机 3.4.3
电视发射机 3.4.2
电位器 4.4.3
电信系统 8.2.7
电晕放电 7.3.4
电致发光器件 4.2.11
电助熔 7.7.69
电子玻璃 5.2.1
电子玻璃废水 8.4.8
电子测量仪器 3.5.1
电子封装材料 5.4.11
电子工程 2.0.1
电子工业工程 2.0.2
电子管 4.3.1
电子化学品材料 5.4.4
电子浆料 5.4.14
电子枪 4.3.9
电子束加工设备 6.0.5
电子陶瓷 5.2.9
电子系统工程 2.0.3
电子信息系统机房 3.6.11
电子巡查系统 8.2.13
电子仪器计量标准装置 3.5.2
电阻器 4.4.1
动态 7.1.15
动态稳定时间 7.4.28
对地电阻 7.3.15
钝化 7.7.29
多层印制板 4.5.3
多功能消声室 7.5.7
多晶半导体材料 5.1.4
多晶硅 5.1.5
多模光纤 5.3.4

F

发光二极管 4.1.14
反渗透器 8.3.11
防静电工作区 7.3.8
防静电环境 7.3.27
防静电接地电阻 7.3.23
防静电接地系统 7.3.22
房间吸声量 7.5.14
访客和报警系统 8.2.15
放射性材料 5.4.18
非单向流 7.1.18
非晶硅 5.1.7
非晶硅太阳能电池 4.7.4
非晶态材料 5.1.6
非消耗臭氧层物质 8.4.2
废弃电器电子产品 7.6.1
分选 7.6.6
分子束外延 7.7.18
粉红噪声 7.5.28
风机过滤器机组 7.1.29
封框胶 5.4.20
封框胶涂复 7.7.43
封装 7.7.33
浮法 7.7.75
浮筑楼板 7.5.22
富氧燃烧 7.7.68
覆箔板 5.4.9
覆铜板 5.4.10

G

改进的化学气相沉积 7.7.78
改良西门子法 7.7.60
改性再生 7.6.19
概念系统设计 3.6.15
坩埚炉 5.2.8
干法刻蚀 7.7.39
干法清洗 7.7.36
干式清洗 7.6.12
港湾式布置法 7.7.96
高纯气体 8.3.14
高纯气体配管 8.5.16
高纯水 8.3.4
高纯水配管 8.5.15
高效过滤器密封 8.5.11
高效空气过滤器 7.1.26
隔声量 7.5.18
隔声吸声门 7.5.35
隔振缝 8.1.4
隔振平台 7.4.19
隔振器 7.4.16
隔振支架 8.5.18
各向异性导电胶带贴覆 7.7.50
各向异性导电膜 4.2.23
工厂布置 7.7.95
工艺设计 7.7.93
工艺条件 7.7.94
工艺用水 8.3.1
功率谱密度 7.4.9
功能陶瓷 5.2.11
固体声 7.5.17
固有振动频率 7.4.12
管道吹扫 8.5.21
管道纯度测试 8.5.22
管道系统清洗 8.5.19
管道系统严密性作业检验 8.5.20
管理信息系统 3.6.2
管外气相沉积 7.7.76
光电池 4.1.13
光电管 4.3.12
光电晶体管 4.1.11
光电子材料 5.4.12
光伏发电 4.7.1
光刻 7.7.20
光缆 5.3.2
光敏抗蚀干膜 5.4.7
光纤 5.3.1
光纤并带 7.7.89
光纤二次被覆 7.7.90
光纤拉丝塔加热炉 6.0.15
光纤拉丝塔控制装置 6.0.18
光纤拉丝塔冷却装置 6.0.16
光纤拉丝塔涂覆装置 6.0.17
光纤通信 3.2.6
光纤预制棒 5.3.5
光纤着色 7.7.88
广播发射机 3.4.1
广域网 3.6.6
规格说明 3.6.13
硅基材料 5.1.8
硅基液晶显示器 4.2.12
硅片 4.1.16
硅气相外延 7.7.17
硅太阳能电池 4.7.3
硅烷法 7.7.61

H

海底光缆 5.3.9
含尘浓度 7.1.10
含氟废水 8.4.11
含铬废水 8.4.10
含砷废水 8.4.14
含水量(露点)测试 8.5.23
黑矩阵 4.2.17
红外探测器 4.1.12
后处理系统 8.3.6
互联网 3.6.8
互联网数据中心 3.6.9
华夫板 8.1.1
化学处理 7.6.9
化学过滤器 8.5.13
化学机械抛光 7.7.30
化学机械平坦化 7.7.31
化学品管道 8.5.17
化学气相沉积 7.7.24
环保使用期限 7.6.32
环境监控系统 8.2.20
环境试验 7.7.12
环境试验设备 6.0.20
环境噪声 7.5.25
环境振动 7.4.21
黄光区 8.2.1
挥发性有机废气 8.4.17
挥发性有机物 8.4.16
回收利用 7.6.21
回收利用率 7.6.28
回用水 8.4.15
会议电视系统 8.2.8
混合流 7.1.19
火法冶金 7.6.10
火焰水解法 7.7.85
火灾报警系统 8.2.11

I

ITO导电膜 4.2.20

J

基板玻璃 5.2.2
激光加工设备 6.0.7
及时制生产 7.7.101
集成测试 3.6.22
集成电路 4.1.2
集群移动通信系统 3.2.2
计算机 3.1.1
计算机集成制造系统 7.7.102
计算机网络 3.1.8
计算机信息系统集成 3.6.21
技术夹层 7.1.32
技术夹道 7.1.33
技术竖井 7.1.34
继电器 4.6.5
架空复合地线光缆 5.3.8
尖劈 7.5.34
间接接地 7.3.20
检漏试验 7.1.30
建筑结构防微振体系 7.4.22
建筑结构模态计算 7.4.24
建筑结构微振动态响应计算7.4.23
建筑设备监控系统 8.2.17
溅射 7.7.25
溅射设备 6.0.3
键合 7.7.32
降噪系数 7.5.12
接插件 4.6.1
接触器 4.6.3
洁净灯 8.2.2
洁净度 7.1.11
洁净度等级 7.1.12
洁净工作服 7.1.25
洁净工作区 7.1.20
洁净工作台 7.1.24
洁净区 7.1.2
洁净室 7.1.1
洁净室成品保护管理制度 8.5.3
洁净室检测项目 8.5.25
洁净室建筑装饰 8.5.4
洁净室空吹 8.5.9
洁净室认证 8.5.27
洁净室设备二次配管 8.5.14
洁净室施工管理制度 8.5.2
洁净室施工环境温度 8.5.1
结构地坪 8.1.3
结构陶瓷 5.2.10
金属壁板 8.5.5
金属壁板二次设计 8.5.6
金属化 7.7.28
金属有机化合物化学气相沉积设备 6.0.13
紧套光缆 5.3.12
晶体材料 5.1.2
晶体管 4.1.7
精密空调 8.2.6
净化空调系统 8.5.7
净化空调系统测试 8.5.8
净化设备 6.0.28
静电 7.3.1
静电半衰期 7.3.16
静电放电 7.3.2
静电放电敏感 7.3.6
静电感应 7.3.9
静电耗散型材料 7.3.25
静电接地 7.3.19
静电衰减期 7.3.17
静电危害 7.3.3
静电泄漏 7.3.10
静电噪声 7.3.7
静电中和 7.3.24
静态 7.1.14
局域网 3.6.4
聚酰亚胺取向剂涂覆 7.7.40
绝缘材料 5.4.1
绝缘层硅 5.1.9
均质材料 7.6.23

K

KVM集中操控系统 8.2.21
开关 4.6.4
抗振墙 8.1.2
可回收利用率 7.6.30
可控硅整流管 4.1.8
可再生利用率 7.6.29
刻蚀 7.7.21
空气采样式烟雾火灾探测系统 8.2.5
空气吹淋室 7.1.21
空气弹簧 7.4.18
空气过滤器 8.5.10
空气声 7.5.16
空态 7.1.13
空中交通管制中心 3.3.10
扩散 7.7.22

L

拉丝 7.7.86
拉丝塔 6.0.14
老化 7.7.56
雷达 3.3.1
冷加工 7.7.71
离心加速度试验机 6.0.24
离子管 4.3.15
离子交换法 8.3.5
离子束加工设备 6.0.6
离子注入 7.7.26
锂电池 4.7.6
锂离子电池 4.7.7
力学环境试验 7.7.13
粒径 7.1.5
粒径分布 7.1.9
流化床法 7.7.62
螺旋中心管式光缆 5.3.11
裸芯片组装 7.7.4
滤波器 8.2.4

M

MOS集成电路 4.1.3
免清洗技术 7.7.6
敏感电阻器 4.4.2
摩擦后清洗 7.7.42
摩擦起电电压 7.3.18
摩擦 7.7.41

N

纳米材料 5.4.16
挠性印制电路板 4.5.4
内部对讲系统 8.2.14
能量回收 7.6.17
扭曲向列相液晶显示器 4.2.4

P

印制电路板上贴装芯片 7.7.54
排气设备 6.0.4
抛光 7.7.73
配料 7.7.64
配送中心型仓库 8.5.28
偏光片贴覆 7.7.49
偏振片 4.2.19
频谱分析 7.4.8
平板显示器 4.2.2
屏蔽效果 7.2.10

Q

气候环境试验 7.7.14
气力输送 7.7.65
气流流型 7.1.16
气体净化 8.3.18
气闸室 7.1.22
铅玻璃 5.2.4
铅烟 8.4.20
切割 7.7.46
切片 7.7.58
切片机 6.0.9
清洁生产 8.4.1
清洗 7.7.35
驱动芯片 4.2.22
去离子水 8.3.2
全介质自承式光缆 5.3.6
全球定位系统 3.3.4
全氧燃烧 7.7.67

R

热解 7.6.7
人身净化用室 7.1.3
容许振动值 7.4.7
溶胶-凝胶法 7.7.84
熔化 7.7.66
熔融析出法 7.7.63
熔融溢流法 7.7.74
熔缩 7.7.80
柔性贴装芯片 4.5.6
柔性制造系统 7.7.103
软件 3.1.3
软件园 8.5.31
软件园孵化器 8.5.33
软接地 7.3.21

S

三防处理 7.7.15
三网融合 3.6.23
商务流程外包服务 8.5.32
摄像管 4.3.8
砷化镓光耦合器件 4.1.10
声场 7.5.3
声控室 7.5.8
声强 7.5.2
声桥 7.5.20
声锁 7.5.21
声压 7.5.1
湿法刻蚀 7.7.38
湿法冶金 7.6.11
湿式清洗 7.6.13
石墨制品 5.4.6
石英制品 5.4.5
蚀刻气体 8.3.16
室内静电电位 7.3.5
室内声学 7.5.9
收集率 7.6.26
输出设备 3.1.5
输入设备 3.1.4
数据灾难备份中心 3.6.12
数字电视广播 3.4.4
数字无绳电话系统 8.2.9
水池本底噪声 7.5.33
水的重复利用率 8.4.4
水平重复精度 7.4.27
水声学 7.5.31
丝网印制 7.7.57
松套层绞式光缆 5.3.10
松套光纤“SZ”绞合成缆 7.7.91
酸碱废水 8.4.13
酸洗 8.3.8

T

塔康系统 3.3.5
太阳能电池 4.7.2
套管法 7.7.82
特种气体 8.3.13
体积电阻 7.3.12
体积电阻率 7.3.14
体形系数 8.4.6
贴合 7.7.44
贴片前清洗 7.7.48
铁电陶瓷 5.2.12
停车管理系统 8.2.16
投影管 4.3.5
退火 7.7.27

W

外包层制造 7.7.81
外存储器 3.1.7
外延 7.7.16
外延气体 8.3.15
微波管 4.3.3
微波接力通信线路 3.2.8
微波通信 3.2.7
微波站设备 3.2.9
微波着陆系统 3.3.6
微穿孔板吸声结构 7.5.15
微电子技术 4.1.1
微环境 7.1.28
微粒浓度测试 8.5.24
微粒子 7.1.8
微振动 7.4.1
微振动测试分析 7.4.25
微振动控制 7.4.2
卫星导航系统 3.3.8
卫星电视广播 3.4.5
卫星电视接收系统 3.4.8
卫星通信 3.2.3
卫星通信地球站 3.2.5
卫星通信设备 3.2.4
温度试验箱 6.0.25
无规噪声 7.5.26
无铅焊接 8.4.3
无线局域网 3.6.7
无氧铜 5.4.8
物理处理 7.6.8
物联网 3.6.10
物料净化用室 7.1.4
物料闸间 7.7.98

X

X-射线管 4.3.16
吸波材料 7.2.4
吸气剂 4.3.11
吸声材料 7.5.11
吸声系数 7.5.10
系统测试计划 3.6.20
系统界面/接口 3.6.18
系统界面规格说明书 3.6.19
系统设计 3.6.14
系统设计规格说明书 3.6.17
系统详细设计 3.6.16
显示屏上贴装芯片 7.7.53
显示器 4.2.1
线宽 4.1.15
线圈 4.4.6
像增强管 4.3.14
消声器 7.5.30
消声室 7.5.5
消声水池 7.5.32
小岛布置法 7.7.97
芯片带载封装 4.5.7
芯片载带封装贴装 7.7.51
芯柱 5.2.5
信息管理 8.5.30
信息化网络建设 3.6.3
信息系统 3.6.1
悬浮粒子 7.1.6

Y

压电材料 5.4.17
研磨 7.7.72
研磨废水 8.4.9
氧化 7.7.19
冶金提纯法 7.7.59
液槽密封 8.5.12
液晶 4.2.18
液晶材料 5.4.3
液晶模组 7.7.47
液晶显示模块 4.2.14
液晶显示器 4.2.3
液晶预滴入 7.7.55
仪表着陆系统 3.3.7
移动多媒体广播 3.4.7
移动通信设备 3.2.1
阴极射线管 4.3.4
荫罩 4.3.10
音响广播系统 8.2.10
银浆 5.4.19
印制板组件 4.5.2
印制板组件检测 7.7.7
印制电路板 4.5.1
印制电路板上贴装芯片 7.7.54
印制电路板装联 7.7.3
印制电子 4.5.5
荧光粉 5.4.13
硬件 3.1.2
影视音响设备 3.4.9
有毒废气 8.4.19
有毒有害物质 7.6.25
有机发光二极管显示器 4.2.8
有机废水 8.4.12
有线电视系统 3.4.6
预先取出 7.6.2
元器件老化筛选 7.7.1
源头处理 8.4.21
运输试验台 6.0.23

Z

再生 8.3.7
再生材料 7.6.22
再生利用 7.6.20
再生利用率 7.6.27
再使用 7.6.14
再使用零部件 7.6.16
在线测试仪 6.0.19
噪声 7.5.23
真空电子器件 4.3.2
真空镀膜设备 6.0.2
真空设备 6.0.1
真空荧光显示器 4.2.10
阵列工艺 7.7.34
振动传递率 7.4.20
振动幅值 7.4.5
振动模态 7.4.6
振动频率 7.4.4
振动试验台 6.0.21
振型 7.4.3
整机老化试验 7.7.9
整机生产环境 7.7.11
整机调试 7.7.10
整机装配 7.7.8
直接数字控制系统 8.2.18
直接再生 7.6.18
指示管 4.3.7
质量定律 7.5.19
中心束管钢丝绞合成缆 7.7.92
中心束管式光缆 5.3.13
轴向气相沉积 7.7.77
主动隔振 7.4.13
主动隔振系统 7.4.14
专用消防口 8.1.6
转接器 4.6.2
装联准备 7.7.2
自动化仓库系统 8.5.29
自净时间 7.1.31
自由场 7.5.4
综合布线系统 8.2.19
综合能耗 8.4.5
综合性能评定 8.5.26
阻流圈 4.4.7
阻尼比 7.4.10
阻尼器 7.4.17

英文索引


A

absorbers 7.2.4
access control system(ACS) 8.2.12
acid cleaning 8.3.8
acidic&alkaline waste water 8.4.13
acoustical insulation and sound proof door 7.5.35
active vibration isolation 7.4.13
active vibration isolation system 7.4.14
adapter 4.6.2
advanced fetch 7.6.2
after rubbing cleaner 7.7.42
Ag paste 5.4.19
aging process 7.7.56
air pattern 7.1.16
air sampling smoke detector fire alarm system 8.2.5
air shower 7.1.21
air spring 7.4.18
air strainer 8.5.10
air traffic control center(ATCC) 3.3.10
airborne particles 7.1.6
air-borne sound 7.5.16
airlock 7.1.22
all dielectric self-support(ADSS)optical fiber cable 5.3.6
allowance value of vibration 7.4.7
ambient noise 7.5.25
amorphous materials 5.1.6
amorphous silicon 5.1.7
amorphous silicon solar cell 4.7.4
anechoic room 7.5.5
anechoic water tank 7.5.32
anisotropic conductive film(ACF) 4.2.23
anisotropic conductive film(ACF)attach process 7.7.50
anneal 7.7.27
anticorrosive technique 7.7.15
area ratio of window to wall 8.4.7
array process 7.7.34
As-containing waste water 8.4.14
as-built 7.1.13
at-rest 7.1.14
audio and visual device 3.4.9
automated storage and retrieval system(AS/RS) 8.5.29

B

back light unit 4.2.21
background noise 7.5.24
background noise of water tank 7.5.33
bare chip assembly 7.7.4
batching 7.7.64
bay-chase type layout 7.7.96
BeiDou navigation satellite system(CNSS) 3.3.9
benzene generic exhaust 8.4.18
bipolar complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits 4.1.5
black matrix(BM) 4.2.17
bonding 7.7.32
broadcast transmitter 3.4.1
building automation system(BAS) 8.2.17
bulk gas 8.3.12
business process outsourcing(BPO)services 8.5.32

C

cable TV system(CATV) 3.4.6
calculation of structure dynamic response on micro-vibration controlling7.4.23
camera tube 4.3.8
capacitor 4.4.4
cathode ray tube(CRT) 4.3.4
cell process 7.7.45
cellular manufacturing 7.7.100
center bundle armoured optical cable 5.3.13
centrifugal acceleration test machine 6.0.24
chemical filter 8.5.13
chemical-mechanical planarization 7.7.31
chemical-mechanical polish(CMP) 7.7.30
chemical treatment 7.6.9
chemical vapor deposition(CVD) 7.7.24
chip on board(COB) 7.7.54
chip on film(COF) 4.5.6
chip on glass(COG) 7.7.53
clean bench 7.1.24
clean room air blowing 8.5.9
clean room authentication 8.5.27
clean room construction ambient temperature 8.5.1
clean room construction decoration 8.5.4
clean room construction management system 8.5.2
clean room end product protection control system 8.5.3
clean room equipment piping 8.5.14
clean room examination items 8.5.25
clean room lamp 8.2.2
clean room(CR) 7.1.1
clean working area 7.1.20
clean working garment 7.1.25
clean zone 7.1.2
cleaner production 8.4.1
cleaning process 7.7.35
cleanliness 7.1.11
cleanliness class 7.1.12
cleanliness recovery characteristic 7.1.31
climate environmental test 7.7.14
coating unit of optical fiber drawg tower 6.0.17
coil 4.4.6
cold working 7.7.71
collapsing 7.7.80
collection rate 7.6.26
color filter(CF) 4.2.16
color picture tube(CPT) 4.3.6
coloring optical fiber 7.7.88
complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits(CMOSIC) 4.1.4
complete machine aging test 7.7.9
complete machine assembling 7.7.8
complete machine debugging 7.7.10
complete machine manufacture environment 7.7.11
comprehensive energy consumption 8.4.5
computer 3.1.1
computer information system integration 3.6.21
computer integrated manufacturing system(CIMS) 7.7.102
computer network 3.1.8
conceptual system design 3.6.15
connector 4.6.1
contactor 4.6.3
control system of optical fiber drawing 6.0.18
conversational system 8.2.15
cooling unit of optical fiber drawing tower 6.0.16
copper clad laminate(CCL) 5.4.10
core ribbon cable 5.3.7
core stranding 7.7.87
corona discharge 7.3.4
Cr-containing waste water 8.4.10
critical dimension 4.1.15
crucible furnace 5.2.8
crystal growing furnace 6.0.8
crystal materials 5.1.2
cutting 7.7.58
cutting process 7.7.46

D

damper 7.4.17
datebase center disaster recover 3.6.12
deionized water 8.3.2
diffusion 7.7.22
digital cordless telephone 8.2.9
digital video broadcasting(DVB) 3.4.4
direct digit control(DDC)system 8.2.18
disassembling remainders 7.6.24
disassembly 7.6.3
display device 4.2.1
disposal 7.6.5
distribution center warehouse 8.5.28
dopant gas 8.3.17
doping 7.7.23
drawing 7.7.86
drawing tower 6.0.14
driver IC 4.2.22
dry cleaning 7.6.12,7.7.36
dry etching process 7.7.39
dry film photoresist 5.4.7
dynamic settling time 7.4.28
dynamics environment test 7.7.13

E

eco-design of product(ECD) 7.6.31
electric boosting 7.7.69
electro luminescence device(ELD) 4.2.11
electrodialyzer 8.3.10
electromagnetic compatibility(EMC) 7.2.5
electromagnetic environment 7.2.1
electromagnetic interference(EMI) 7.2.6
electromagnetic radiation 7.2.2
electromagnetic shielding 7.2.8
electromagnetic shielding room 7.2.9
electromagnetic susceptibility 7.2.7
electromagnetic(EM)wave anechoic chamber 7.2.3
electron beam process equipment 6.0.5
electron gun 4.3.9
electron tube 4.3.1
electronic ceramics 5.2.9
electronic glass 5.2.1
electronic glass waste water 8.4.8
electronic industrial project 2.0.2
electronic information system room 3.6.11
electronic instrument measurement standard device 3.5.2
electronic measuring instrument 3.5.1
electronic packaging materials 5.4.11
electronic paste 5.4.14
electronic patrol system 8.2.13
electronic system project 2.0.3
electronics assembling preparation 7.7.2
electronics chemical materials 5.4.4
electronics engineering 2.0.1
electrostatic decay time 7.3.17
electrostatic discharge protected area(EPA) 7.3.8
electrostatic discharge sensitive(ESDS) 7.3.6
electrostatic discharge(ESD) 7.3.2
electrostatic discharge(ESD)controlled environment 7.3.27
electrostatic discharge(ESD)grounding system 7.3.22
electrostatic dissipative material 7.3.25
electrostatic grounding 7.3.19
electrostatic grounding resistance 7.3.23
electrostatic half-life 7.3.16
electrostatic harm 7.3.3
electrostatic induction 7.3.9
electrostatic leakage 7.3.10
electrostatic dissipation 7.3.24
electrostatic noise 7.3.7
energy recovery 7.6.17
environment test 7.7.12
environment vibration 7.4.21
environmental monitoring system 8.2.20
environmental noise 7.5.25
environmental test equipment 6.0.20
environment-friendly use period 7.6.32
epitaxial gas 8.3.15
epitaxy 7.7.16
equipment for clean room 6.0.28
equivalent absorption area 7.5.13
etching 7.7.21
etching gas 8.3.16
exhaust equipment 6.0.4
external storage device 3.1.7

F

F-containing waste water 8.4.11
facility layout 7.7.95
fan filter unit (FFU) 7.1.29
ferroelectric ceramics 5.2.12
fiber ribbon 7.7.89
field emission display (FED) 4.2.9
fire alarm system (FAS) 8.2.11
fire-firing access 8.1.6
flame hydrolyzing process 7.7.85
flat panel displays(FPD) 4.2.2
flexible manufacturing system(FMS) 7.7.103
flexible printed circuit board(FPC) 4.5.4
floating floor 7.5.22
floats law 7.7.75
flow welding machine 6.0.10
fluid bath seal 8.5.12
fluidized bed method 7.7.62
forming 7.7.70
foundation stiffness 7.4.11
free sound field 7.5.4
frequency choke 4.4.7
full oxygen combustion 7.7.67
functional ceramics 5.2.11
fusion overflow process 7.7.74

G

GaAs light coupled device 4.1.10
gas purification 8.3.18
getter 4.3.11
glass furnace 5.2.7
glass insulator 5.2.6
glass shell 5.2.3
glass substrate 4.2.15,5.2.2
global positioning system(GPS) 3.3.4
graphite product 5.4.6
grinding 7.7.72
grinding waste water 8.4.9
ground micro-vibration 8.1.5
group technology 7.7.99

H

hardware 3.1.2
hazardous substance 7.6.25
heating furnace of optical fiber drawing tower 6.0.15
hemi-anechoic room 7.5.6
high efficiency particulate air filter(HEPA) 7.1.26
high purity gas 8.3.14
highly effective filter sealing 8.5.11
high-purity gas piping 8.5.16
high-purity water 8.3.4
high-purity water piping 8.5.15
homogeneous material 7.6.23
humidity chamber 6.0.26
hydroacoustics 7.5.31
hydrometallurgy 7.6.11

I

image converter tube 4.3.13
image intensifier tube 4.3.14
improved siemens method 7.7.60
in circuit tester (ICT) 6.0.19
indicator tube 4.3.7
indirect grounding 7.3.20
indium tin oxide (ITO)conductive film 4.2.20
inductor 4.4.5
information document management 8.5.30
information network construction 3.6.3
information system 3.6.1
infrared detector 4.1.12
inner electrostatic potential 7.3.5
input device 3.1.4
instrument landing system 3.3.7
insulating materials 5.4.1
integrated circuits (IC) 4.1.2
integration test 3.6.22
internet 3.6.8
internet data center(IDC) 3.6.9
internet of things 3.6.10
interphone system 8.2.14
ion beam process equipment 6.0.6
ion exchange 8.3.5
ion implant 7.7.26
ionic tube 4.3.15
island layout 7.7.97
isolation platform 7.4.19

J

just-in-time(JIT) 7.7.101

K

KVM centralized operating system 8.2.21

L

laser process equipment 6.0.7
lead breathing 8.4.20
lead glass 5.2.4
lead-free soldering 8.4.3
leakage test 7.1.30
levelling repeatable accuracy 7.4.27
light emitting diode(LED) 4.1.14
liquid crystal displays(LCD) 4.2.3
liquid crystal materials 5.4.3
liquid crystal module(LCM) process 7.7.47
liquid crystal module(LCM) 4.2.14
liquid crystal on silicon(LCOS) display 4.2.12
liquid crystal(LC) 4.2.18
lithium cell 4.7.6
lithium-ion battery 4.7.7
lithography 7.7.20
local area network(LAN) 3.6.4
lock for material 7.7.98
low pressure test chamber 6.0.27

M

magnetic materials 5.4.2
management information system(MIS) 3.6.2
masking 7.7.20
mass law 7.5.19
melting 7.7.66
metal clad board 5.4.9
metal foil clad board 5.4.9
metal stave sheet 8.5.5
metal stave sheet design 8.5.6
metal lization 7.7.28
metal lurgical purifying method 7.7.59
metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) machine 6.0.13
metal-oxide-semiconductor integrated circuits (MOSIC) 4.1.3
metropolitan area network(MAN) 3.6.5
micro-electronics technology 4.1.1
microparticle 7.1.8
microperforated absorber 7.5.15
micro-vibration 7.4.1
micro-vibration control 7.4.2
micro-vibration control system of structure 7.4.22
micro-vibration test and analysis 7.4.25
microwave communication 3.2.7
microwave landing system(MLS) 3.3.6
microwave relay communication link 3.2.8
microwave station equipment 3.2.9
microwave tube 4.3.3
minienvironment 7.1.28
mixed airflow 7.1.19
mobile communication equipment 3.2.1
mobile multimedia broadcasting 3.4.7
modal structure calculation 7.4.24
mode of vibration 7.4.6
mode shape 7.4.3
modified chemical vapour deposition(MCVD) 7.7.78
modified recycling 7.6.19
molecular-beam epitaxy(MBE) 7.7.18
muffler 7.5.30
multi-function anechoic room 7.5.7
multi-mode fiber 5.3.4
mutilayer printed board 4.5.3

N

nano-materials 5.4.16
natural frequency 7.4.12
navigation 3.3.2
navigation system 3.3.3
no-clean for PCB assemblies 7.7.6
noise 7.5.23
noise reduction coefficient(NRC) 7.5.12
non-ozone depleting substances 8.4.2
non-unidirectional airflow 7.1.18

O

octave bandwidth 7.5.29
one drop filling process(ODF) 7.7.55
operational 7.1.15
optical fiber 5.3.1
optical fiber cable 5.3.2
optical fiber communication 3.2.6
optical fiber ground wire(OPGW) 5.3.8
optical fiber preform 5.3.5
optoelectronic materials 5.4.12
organic light-emitting display(OLED) 4.2.8
organic waste water 8.4.12
output device 3.1.5
outside vapour deposition(OVD) 7.7.76
overall performance evaluation 8.5.26
overcladding 7.7.81
oxidation 7.7.19
oxygen-enriched combustion 7.7.68
oxygen-free copper 5.4.8

P

packaging 7.7.33
panel alignment process 7.7.44
panel cleaning process 7.7.48
parking management system 8.2.16
partical size 7.1.5
particle concentration 7.1.10
particle density test 8.5.24
particle size distribution 7.1.9
passbox 7.1.23
passivation 7.7.29
passive vibration isolation 7.4.15
PCB assembling 7.7.3
phosphor 5.4.13
photocell 4.1.13
photolithography 7.7.20
phototransistor 4.1.11
phototube 4.3.12
photovoltaic 4.7.1
physical treatment 7.6.8
piezoelectric materials 5.4.17
pink noise 7.5.28
pipeline blowing 8.5.21
pipeline for chemicals 8.5.17
pipeline purity test 8.5.22
piping system cleaning 8.5.19
piping system hermeticness examination 8.5.20
plasma activated chemical vapour deposition(PCVD) 7.7.79
plasma display panel(PDP) 4.2.7
plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) machine 6.0.12
plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) 7.7.37
plasma spray 7.7.83
pneumatic conveying 7.7.65
point of use treatment 8.4.21
polarizer 4.2.19
polaroid attach 7.7.49
polishing 7.7.73
polycrystal semiconductor materials 5.1.4
polyimide direction coater process 7.7.40
polysilicon 5.1.5
post-treatment system 8.3.6
potentiometer 4.4.3
power spectral density 7.4.9
precision air conditioning 8.2.6
premises distributed system(PDS) 8.2.19
printed board assembly 4.5.2
printed circuit board(PCB) 4.5.1
printed electronics 4.5.5
process design 7.7.93
process requirements 7.7.94
process water 8.3.1
projection tube 4.3.5
pure water 8.3.3
purification air-conditioning system 8.5.7
purification air-conditioning system testing 8.5.8
pyrolysis 7.6.7
pyrometallurgy 7.6.10

Q

quartz product 5.4.5

R

radar 3.3.1
radioactive materials 5.4.18
random noise 7.5.26
ratio of damping 7.4.10
reclaimed water 8.4.15
recoverability rate 7.6.30
recovery 7.6.21
recovery rate 7.6.28
recyclability marking of the product 7.6.15
recyclability rate 7.6.29
recycled material 7.6.22
recycling 7.6.20
recycling directly 7.6.18
recycling rate 7.6.27
regeneration 8.3.7
relay 4.6.5
resistance to earth 7.3.15
resistor 4.4.1
reusable components 7.6.16
reuse 7.6.14
reverse osmosis unit(RO) 8.3.11
rod in tube(RID) 7.7.82
room absorption 7.5.14
room acoustics 7.5.9
room for cleaning human body 7.1.3
room for cleaning material 7.1.4
rubbing process 7.7.41

S

satellite communication 3.2.3
satellite communication earth station 3.2.5
satellite communication equipment 3.2.4
satellite navigation system 3.3.8
satellite TV programs 3.4.8
screen printing 7.7.57
seal agent 5.4.20
seal material coating process 7.7.43
secondary coating 7.7.90
selection by classification 7.6.6
selection of components by aging method 7.7.1
self-cleaning time 7.1.31
semi-anechoic room 7.5.6
semiconductor materials 5.1.1
semiconductor photoelectronic device 4.1.9
semiconductor rectifier 4.1.6
sensitive resistor 4.4.2
shadow mask 4.3.10
shaker 6.0.21
shape coefficient 8.4.6
shielding effectiveness 7.2.10
shock test machine 6.0.22
silane method 7.7.61
silencer 7.5.30
silicon controlled rectifier(SCR) 4.1.8
silicon solar cell 4.7.3
silicon vapor-phase epitaxy(VPE) 7.7.17
silicon-based materials 5.1.8
silicon-on-insulator(SOI) 5.1.9
single crystal materials 5.1.3
single-mode fiber 5.3.3
slicing machine 6.0.9
soft grounding 7.3.21
software 3.1.3
software park 8.5.31
software park innovation centre 8.5.33
solar cell 4.7.2
sol-gel 7.7.84
solid-borne sound 7.5.17
sound absorption coefficient 7.5.10
sound absorption material 7.5.11
sound bridge 7.5.20
sound broadcasting system 8.2.10
sound control room 7.5.8
sound field 7.5.3
sound intensity 7.5.2
sound lock 7.5.21
sound pressure 7.5.1
sound reduction index 7.5.18
special gas 8.3.13
specification 3.6.13
spectrum analysis 7.4.8
spiral space tube cable 5.3.11
sputtering 7.7.25
sputtering equipment 6.0.3
static conductive material 7.3.26
static electricity 7.3.1
steel wire central tube stranded cabling 7.7.92
stem 5.2.5
storage 3.1.6
stranded loose tube cable 5.3.10
stranded loose tube cabling 7.7.91
structural ceramics 5.2.10
structural ground floor 8.1.3
structure micro-vibration control system 7.4.22
submarine optical fiber cable 5.3.9
super twisted nematic LCD(STN-LCD) 4.2.5
superconducting materials 5.4.15
surface mounted devices(SMD) 4.4.8
surface mounted technology(SMT) 7.7.5
surface mounted technology(SMT)machine 6.0.11
surface resistance 7.3.11
surface resistivity 7.3.13
switch 4.6.4
system design 3.6.14
system design specification(SDS) 3.6.17
system detail design 3.6.16
system interface 3.6.18
system interface specification(SIS) 3.6.19
system test plan(STP) 3.6.20

T

tactical air navigation(TACAN)system 3.3.5
tape automated bonding(TAB) 7.7.52
tape carrier package(TCP) 4.5.7
tape carrier packaging(TCP)assembly 7.7.51
technical mezzanine 7.1.32
technical shaft 7.1.34
technical tunnel 7.1.33
telecom system 8.2.7
television pick-up tube 4.3.8
temperature test chamber 6.0.25
test for PCB 7.7.7
the integration of telecommunication networks,cable TV
networks and the internet 3.6.23
thin film solar cell 4.7.5
thin-film transistors LCD(TFT-LCD) 4.2.6
tight tube cable 5.3.12
touch panel 4.2.13
traffic simulator 6.0.23
transistor 4.1.7
treatment 7.6.4
triboelectric voltage 7.3.18
trunked mobile communication system 3.2.2
TV broadcast by satellite(TVBS) 3.4.5
TV-transmitter 3.4.2
TV-transposer 3.4.3
twisted nematic LCD(TN-LCD) 4.2.4

U

ultra low penetration air filter(ULPA) 7.1.27
ultrafilter(UF) 8.3.9
ultrafine particle 7.1.7
unidirectional airflow 7.1.17
uninterruptible power system(UPS) 8.2.3

V

vacuum coating equipment 6.0.2
vacuum electronic device 4.3.2
vacuum equipment 6.0.1
vacuum fluorescent display(VFD) 4.2.10
vapor to liquid deposition(VLD) 7.7.63
vapor axial deposition(VAD) 7.7.77
venomous exhaust 8.4.19
vibration amplitude 7.4.5
vibration attenuation of the ground 7.4.26
vibration frequency 7.4.4
vibration isolation joint 8.1.4
vibration isolation support 8.5.18
vibration isolator 7.4.16
vibration resistance wall 8.1.2
vibration transmissibility 7.4.20
video conference system 8.2.8
volatile organic compounds exhaust 8.4.17
volatile organic compounds(VOC) 8.4.16
volume resistance 7.3.12
volume resistivity 7.3.14

W

wafer 4.1.16
waffle slab 8.1.1
waste electrical and electronic products 7.6.1
water content(dew point) test 8.5.23
water reuse rate 8.4.4
wave filter 8.2.4
wedge absorber 7.5.34
wet cleaning 7.6.13
wet etching process 7.7.38
white noise 7.5.27
wide area network(WAN) 3.6.6
wireless LAN(WLAN) 3.6.7

X

X-ray tube 4.3.16

Y

yellow light area 8.2.1